一、半导体技术的回顾与展望（论文文献综述）
李泠霏[1]（2021）在《基于二维材料范德华异质结构的新型热载流子器件的研究》文中研究说明随着摩尔定律接近极限,传统的半导体技术已进入发展瓶颈期。如何利用新原理、新材料和新结构来解决和优化传统半导体器件在尺寸微缩过程中遇到的性能、功耗和成本等问题是后摩尔时代半导体技术的发展重点。沿着Beyond CMOS的战略路线,本文分别从新材料体系、新物理机制、以及新器件结构这三个方面展开思考和研究,旨在解决热载流子器件的机理分析、性能提升、功能拓展等科学问题。材料方面,本文以新兴的二维材料作为主要研究体系;物理机制方面,本文以热载流子作为主要研究对象;器件结构方面,本文基于范德华异质结构搭建了不同的、实现特定功能的固态器件。本文主要研究了四种热载流子器件,具体包括:（1）本文首先研究了基于等离激元纳米结构/石墨烯/氮化硼/石墨烯的近红外光电探测器件。本文以物理机制作为主要研究重点,探索了利用表面等离激元实现石墨烯中的超热载流子的激发,打破了内光电效应的波长阈值限制,实现低于带阶势垒的光响应。此外,本文还研究了超热载流子的微观物理过程及其引起的负微分光响应现象。（2）然后研究了基于手性表面等离激元/单层硫化钼异质结构的常温谷霍尔晶体管。本文从新信息载体角度出发,提出和实现了一种常温工作的,实现谷信息的产生、输运、收集、调控等全套功能的能谷晶体管。通过表面等离激元的手性实现了谷极化的产生,通过热载流子实现了谷极化的注入,利用不同能谷Berry曲率产生的赝磁场和霍尔架构实现了谷信号的读出,通过栅压实现了谷信号的调控。（3）接着研究了基于石墨烯/等离激元超构表面/硅异质结构体系的红外片上偏振探测器。论文从多功能集成的思路出发,构建了一个无分光部件的四像素光电探测器件,该器件能够实现光的强度和偏振信息的片上获取。偏振测定功能通过设计不同取向和手性的超构表面实现。硅基肖特基结构实现了光生载流子的及时抽取和分离。该器件展现出了较好的偏振测定功能。（4）最后论文研究了基于石墨烯/硒化钨/石墨烯/氮化硼/石墨烯这一五层垂直堆叠的范德华异质结构的热电子晶体管。论文设计并实验展示了第一个基于全二维材料的热电子晶体管,并且获得了接近理论极限的共基极收集效率。此外,该论文还讨论了利用热电子晶体管来研究热电子能谱的可行性及优势。该论文的研究表明,二维材料不但赋予了微纳器件在异质集成上的自由度和高质量界面,还使得器件展现出很多体材料器件不具备的性能优势和功能特性。论文中的研究结果展现了二维材料及其范德华异质结构在后硅时代半导体技术中的应用前景。
刘伟岩[2]（2020）在《战后科技革命推动日本产业升级研究 ——基于创新体系的视角》文中认为2008年经济危机后,为摆脱经济下行的轨道,美国、日本、德国先后提出了“重振制造业”（2009年）、日本版“第四次工业革命”（2010年）、“工业4.0”（2012年）等战略计划,而我国也于2015年提出了“中国制造2025”的行动纲领。这些战略规划的陆续出台拉开了以大数据、云计算、物联网（Io T）、人工智能（AI）等为标志的新一轮科技革命的帷幕。而作为第二经济大国,我国应如何借助于这一难得机遇来推动国内产业升级则成为亟待思考的问题。回顾日本走过的“路”可知,其也曾作为“第二经济大国”面临过相似的难题,且从中日经济发展历程比较和所面临的“三期叠加”状态来看,我国现阶段也更为接近20世纪70年代的日本,而日本却在当时的情况下借助于以微电子技术为核心的科技革命成功地推动了国内产业的改造升级。基于此,本文以日本为研究对象并将研究阶段锁定在其取得成功的战后至20世纪80年代这一时期,进而研究其所积累的经验和教训,以期为我国接下来要走的“路”提供极具价值的指引和借鉴。在对熊彼特创新理论以及新熊彼特学派提出的技术经济范式理论、产业技术范式理论、国家创新体系理论和部门创新体系理论等进行阐述的基础上,本文借助于此从创新体系的视角构建了“科技革命推动产业升级”的理论分析框架,即:从整体产业体系来看,其属于技术经济范式转换的过程,该过程是在国家创新体系中实现的,且两者间的匹配性决定着产业升级的绩效;而深入到具体产业来看,其又是通过催生新兴产业和改造传统产业来实现的,对于此分析的最佳维度则是能够体现“产业间差异性”的部门创新体系,同样地,两者间的匹配性也决定着各产业升级的成效。回顾科技革命推动日本产业升级的历程可知,其呈现出三个阶段:20世纪50～60年代的“重化型”化,70～80年代的“轻薄短小”化,以及90年代后的“信息”化。其中,“轻薄短小”化阶段是日本发展最为成功的时期,也是本文的研究范畴所在。分析其发生的背景可知:虽然效仿欧美国家构建的重化型产业结构支撑了日本经济“独秀一枝”的高速发展,但在日本成为第二经济大国后,这一产业结构所固有的局限性和问题日渐凸显,倒逼着日本垄断资本进行产业调整;而与此同时,世界性科技革命的爆发恰为其提供了难得的历史机遇;但是这种机遇对于后进国来说在一定意义上又是“机会均等”的,该国能否抓住的关键在于其国内的技术经济发展水平,而日本战后近20年的高速增长恰为其奠定了雄厚的经济基础,且“引进消化吸收再创新”的技术发展战略又在较短的时间内为其积累了殷实的技术基础。在这一背景下,借助于上文所构建的理论分析框架,后文从创新体系的视角解释了战后以微电子技术为核心的科技革命是如何推动日本产业升级以及日本为何更为成功的。就整体产业体系而言,科技革命的发生必然会引致技术经济范式转换进而推动产业升级,且这一过程是在由政府、企业、大学和科研机构以及创新主体联盟等构建的国家创新体系中实现的。战后科技革命的发源地仍是美国,日本的参与借助的是范式转换过程中创造的“第二个机会窗口”,换言之,日本的成功得益于对源于美国的新技术的应用和开发研究,其技术经济范式呈现出“应用开发型”特点。而分析日本各创新主体在推动科技成果转化中的创新行为可以发现,无论是政府传递最新科技情报并辅助企业引进技术、适时调整科技发展战略和产业结构发展方向、制定激励企业研发的经济政策和专利保护制度、采取措施加速新技术产业化的进程、改革教育体制并强化人才引进制度等支持创新的行为,还是企业注重提升自主创新能力、遵循“现场优先主义”原则、实施“商品研制、推销一贯制”、将资金集中投向开发研究和创新链的中下游环节以及培训在职人员等创新行为,或是大学和科研机构针对产业技术进行研究、重视通识教育和“强固山脚”教育以及培养理工科高科技人才等行为,亦或是“政府主导、企业主体”型的创新主体联盟联合攻关尖端技术、建立能够促进科技成果转化的中介机构、联合培养和引进优秀人才等行为都是能够最大限度地挖掘微电子技术发展潜力的。而这种“追赶型”国家创新体系与“应用开发型”技术经济范式间的相匹配正是日本能够更为成功地借力于战后科技革命推动产业升级的根因所在。进一步地从具体产业来看,科技革命引致的技术经济范式转换表现为新兴技术转化为新兴产业技术范式和改造传统产业技术范式的过程,这也是科技革命“双重性质”的体现。而对这一层面的分析则要用到能够体现“产业间差异性”的部门创新体系。在选取半导体产业和计算机产业作为新兴产业的代表,以及选取工业机器产业（以数控机床和工业机器人为主）和汽车产业作为微电子技术改造传统机械产业的典型后,本文的研究发现:由于这些产业在技术体制、所处的产业链位置、所在的技术生命周期阶段等方面的不同,其产业技术范式是相异的,而日本之所以能够在这些产业上均实现自主创新并取得巨大成功就在于日本各创新主体针对不同的产业技术范式进行了相应的调整,分别形成了与之相匹配的部门创新体系。而进一步比较各部门创新体系可知,日本政府和企业等创新主体针对“催新”和“改旧”分别形成了一套惯行的做法,但在这两类产业升级间又存在显着的差异,即:日本政府在“催新”中的技术研发和成果转化中均表现出了贯穿始终的强干预性,尤其是在计算机产业上;而在“改旧”中则干预相对较少,主要是引导已具备集成创新能力的“逐利性”企业去发挥主体作用。作为一种“制度建设”,创新体系具有“临界性”特点且其优劣的评析标准是其与技术经济范式的匹配性。日本能够成功地借力于以微电子技术为核心的科技革命推动国内产业升级的经验就在于其不仅构建了与当时技术经济范式相匹配的国家创新体系,而且注重创新体系的层级性和差异性建设,加速推进了新兴产业技术范式的形成,并推动了新旧产业的协调发展。但是,这种致力于“应用开发”的“追赶型”创新体系也存在着不可忽视的问题,如:基础研究能力不足,不利于颠覆性技术创新的产生,以及政府主导的大型研发项目模式存在定向失误的弊端等,这也是日本创新和成功不可持续以致于在20世纪90年代后重新与美国拉开差距的原因所在。现阶段,新一轮科技革命的蓬勃兴起在为我国产业升级提供追赶先进国家的“机会窗口”的同时,也为新兴产业的发展提供了“追跑”“齐跑”“领跑”并行发展的机遇,并为传统产业的高质量发展带来了难得的机会。由于相较于20世纪70年代的日本,我国现阶段所面临的情况更为复杂,因此,必须构建极其重视基础研究且具有灵活性的国家创新生态体系,重视部门创新体系的“产业间差异性”,形成与新兴产业技术范式相匹配的部门创新体系,以及建设能够促进传统产业技术范式演化升级的部门创新体系等。
钱晓玲[3]（2020）在《基于绿色供应链管理的DDPO公司供应商管理研究》文中进行了进一步梳理半导体作为国家的重点战略新兴产业,行业发展的状态和政策措施,近年来都得到了大力的支持,已初步发展奠定了坚实的基础,并逐步形成新的核心竞争力。近年来,随着当代中国人民整体经济发展实力的急剧扩张、增加,社会财富实现了爆炸式增长,使用和消费的社会资源越来越多,浪费资源事件和严重破坏生态环境的事件更是不断反复发生。而绿色供应链管理（GSCM）的深入实施和有效推广正是为了要有力地维持和保护人类社会中普遍存在两大经济基石"绿色环保意识"和"经济发展"。这才是一条真正实现可持续发展的真正有效的途径[19]。本论文以DDPO光刻设备供应链服务（中国）有限公司为例,基于绿色供应链管理理论,深入的探讨,研究和分析DDPO公司在供应商的选择,供应商的绩效评估和供应商分级管理等一系列供应商管控,管理中遇到的问题,寻求有效解决问题,优化现有流程的方案和途径。事实上DDPO公司反映出来的供应链业务发展中遇到的供应商管理问题,普遍的体现了许多半导体设备行业企业在现实操作环境中所遇到的共性问题。虽然经过相当长时间的努力之后,半导体设备企业有效管理供应链服务提供商的服务水平的能力正在稳步提升,整体服务质量良好,但在爆炸性的方式如中国在上下文中在一个巨大的增长市场中,可以说许多类似的公司在供应商管理过程中同样会遇到了供应商的选择,供应商的绩效考核和供应商分级管理等非常繁琐和细节的问题。企业业务发展需求的急速爆发式增长和供应链服务供应商的相对发展缓慢和滞后之间的矛盾和问题在这样的大背景下显得非常突出和严重。供应商一味追求不恰当,不科学的"高效",从而带来的高能耗,高成本,资源浪费,忽略整个供应链环节中的绿色理念等问题都是无法回避的,那么,针对DDPO公司这样一家行业领头优势企业,怎样过去选择,管理和管控自己的供应链服务供应商这样的课题的研究就显得势在必行,从DDPO公司着手,更进一步的推动中国半导体行业尤其是设备制造企业的供应链服务供应商管理领域引进和应用绿色供应链概念,进入新的高水平,高效率,高质量的时代。
罗建[4]（2019）在《Pipelined SAR模数转换关键技术研究》文中认为随着半导体技术的发展,大多数整机系统对作为模拟数字桥梁的模数转换器（ADC）的要求越来越高,传统型ADC已经难以胜任。为适应这些系统日益增长的需求,对高性能混合型ADC的研究势在必行。流水线逐次逼近型ADC（Pipelined SAR ADC或Pi-SAR ADC）作为典型的混合型ADC,结合了Pipeline ADC和SAR ADC两种架构的特点,兼具速度、精度及功耗上的优势,是近几年高性能ADC的热门研究方向之一。本文以Pi-SAR ADC关键技术为研究课题,基于SAR ADC和Pipeline ADC的理论基础及现有Pi-SAR ADC技术基础,对Pi-SAR ADC的架构优化技术、高线性度采样保持电路技术、低功耗残差放大技术、失配校正技术及基于Pi-SAR ADC的时间交织技术等进行了深入研究,并在一款16位125 MSPS采样率的两通道时间交织Pi-SAR ADC中对提出的关键技术进行了物理验证,在1.2 V电源电压下以约8 mW的功耗实现了82.73 dBc的无杂散动态范围（Spurious-Free Dynamic Range,SFDR）,72.44 dBc的信噪失真比（Signal-to-Noise-and-Distortion Ratio,SNDR）,有效位（Effective Number of Bits,ENOB）为11.74 bits,优值（Figure-of-Merit,FOM）为18.9 fJ/conv.-step。本文主要的研究工作如下:（1）提出了一种动态电容失配校正技术和一种基于输出特性曲线二阶导数的增益失配校正技术。前者利用MOS管栅极寄生电容校正高速SAR ADC中比较器输入对管非线性寄生电容引起的动态电容失配,以两个MOS器件的代价提高了线性度及信噪比（Signal-to-Noise Ratio,SNR）。后者通过求ADC输出特性曲线在残差转移曲线级间转折点附近的二阶导数,并据此进行级间增益校正。该技术用在分裂式（Split）Pipeline ADC中进行增益校正时,仅需1.5×104个校正周期。（2）提出了一种基于寄生电容补偿的高速高线性度采样保持电路技术。该技术通过在采样开关边上并联一个相同尺寸相反类型的MOS管,以该MOS管的源漏寄生电容以及源衬/漏衬寄生二极管电容补偿采样开关非线性寄生电容及输入信号馈通,提高了线性度;采用带衬底电压切换技术的上极板栅压自举π型CMOS共模开关技术,减小了上极板共模开关非线性电阻对线性度的影响。相比于传统栅压自举采样保持电路,线性度提高了11 dBc。此外,为提高SAR ADC速度,提出了一种基于数据触发逻辑的高速准静态锁存器电路。相比于传统SAR逻辑单元电路,采用该技术后速度提升了60%的同时功耗减小了约50%。（3）提出了两种比较器延时信息辅助SAR ADC量化的技术:电压域与时域结合的2b/cycle高速量化技术以及延时信息辅助局部过采样技术。两种技术都基于SAR ADC中比较器延时随输入幅度线性增大而单调下降的理论基础。前者与传统2b/cycle技术相比,比较器数量更少且参考延时由可控延时链产生;相比于传统1b/cycle量化,可在低压下实现相同量化速度,两种情况下均有利于降低功耗。后者与传统局部过采样技术相比不需要额外过采样周期,可在保证相同采样率的前提下实现降低噪声提高SNR的目的。（4）提出了一种基于电荷采样的低功耗高稳定性动态开环残差放大技术。该技术基于电荷采样原理,可实现低噪声;采用全异步时序,简化时钟脉冲信号产生电路,提高了速度及稳定性同时减小电路噪声;采用全新采样时序避免了电流源开关的电荷注入以及时钟馈通;最后提出的增益PVT（Process,Voltage and Tempreature）稳定技术解决了积分器类开环动态残差放大器（Residual Amplifier,RA）增益随PVT变化的问题。在PVT变化时,相比于不采用该增益稳定技术,增益变化量分别减小81.13%、94.51%及98.32%。
刘欣[5]（2019）在《中国物理学院士群体计量研究》文中研究指明有关科技精英的研究是科学技术史和科学社会学交叉研究的议题之一,随着中国近现代科技的发展,中国科技精英的规模逐渐扩大,有关中国科技精英的研究也随之增多,但从学科角度进行科技精英的研究相对偏少;物理学是推动自然科学和现代技术发展的重要力量,在整个自然科学学科体系中占有较高地位,同时与国民经济发展和国防建设密切关联,是20世纪以来对中国影响较大的学科之一;中国物理学院士是物理学精英的代表,探讨中国物理学院士成长路径的问题,不仅有助于丰富对中国物理学院士群体结构和发展趋势的认识,而且有助于为中国科技精英的成长和培养提供相关借鉴;基于此,本文围绕“中国物理学院士的成长路径”这一问题,按照“变量——特征——要素——路径”的研究思路,引入计量分析的研究方法,对中国物理学院士这一群体进行了多角度的计量研究,文章主体由以下四部分组成。第一部分（第一章）以“院士制度”在中国的发展史为线索,通过对1948年国民政府中央研究院和国立北平研究院推选产生中国第一届物理学院士,1955年和1957年遴选出新中国成立后的前两届物理学学部委员、1980年和1991年增补的物理学学部委员、1993年后推选产生的中国科学院物理学院士、1994年后的中国科学院外籍物理学院士和中国工程院物理学院士,及其他国家和国际组织的华裔物理学院士的搜集整理,筛选出319位中国物理学院士,构成本次计量研究的样本来源。第二部分（第二至九章）对中国物理学院士群体进行计量研究。首先,以基本情况、教育经历、归国工作,学科分布、获得国内外重大科技奖励等情况为变量,对中国物理学院士群体的总体特征进行了计量分析;其次,按照物理学的分支交叉学科分类,主要对中国理论物理学、凝聚态物理学、光学、高能物理学、原子核物理学这五个分支学科的院士群体特征分别进行了深入的计量分析,对其他一些分支交叉学科,诸如天体物理学、生物物理学、工程热物理、地球物理学、电子物理学、声学、物理力学和量子信息科技等领域的院士群体的典型特征进行了计量分析,分析内容主要包括不同学科物理学院士的年龄结构、学位结构、性别比例,在各研究领域的分布、发展趋势和师承关系等;再次,在对各分支交叉学科物理学院士的基本情况和研究领域计量分析的基础上,对不同学科间物理学院士的基本情况进行比较研究,对中国物理学院士研究领域和代际演化进行趋势分析。第三部分（第十章）在第二部分计量分析的基础上,总结归纳出中国物理学院士的群体结构特征、研究领域和代际演化的趋势特征。中国物理学院士的群体结构呈现整体老龄化问题严重,但近些年年轻化趋向较为明显,整体学历水平较高,同时本土培养物理学精英的能力增强,女性物理学院士占比较低但他们科技贡献突出,空间结构“集聚性”较强,但近些年这种“集聚性”逐渐被打破等特征;中国物理学院士的研究领域呈现出,物理学科中交叉性较强的研究领域具有极大的发展潜力,应用性较强的研究领域产业化趋势明显,当代物理学的发展与科研实验设施的关系越发紧密等趋势特征;中国物理学院士的代际演化呈现出,新中国成立初期国家需求导向下的相关物理学科迅猛发展,20世纪80年代以来物理学院士研究兴趣与国家政策支持相得益彰,21世纪以来物理学院士个体对从事学科发展的主导作用越来越大等趋势特征。第四部分（第十一章）通过分析中国物理学院士群体的计量特征得出中国物理学院士的成长路径。宏观层面,社会时代发展大背景的影响一直存在,国家发展战略需求导向要素有所减弱,国家科技管理制度的要素影响有所增强,中国传统文化对物理学院士成长潜移默化的影响;中观层面,物理学学科前沿发展需求的导向要素显着增强,空间结构“集聚性”的影响逐渐在减弱,师承关系的影响主要体现于学科延承方面;微观层面,性别差异对物理学家社会分层的影响很弱,年龄要素对物理学院士成长具有一定的影响,个人研究兴趣对物理学院士的成长影响增强;可见中国物理学院士受社会时代背景、中国传统文化的影响一直存在,受国家发展战略需求的导向影响有所减弱,而受物理学学科前沿发展和物理学家个人研究兴趣的导向逐渐增强,进而得出中国物理学院士的社会分层总体符合科学“普遍主义”原则的结论。最后,在中国物理学院士的群体发展展望中,提出须优化中国物理学院士年龄结构和培养跨学科物理科技人才,辩证看待中国物理学院士空间结构的“集聚性”和师承效应,发挥中国物理学院士的研究优势弥补研究领域的不足,增加科研经费投入和完善科技奖励机制,不断加强国家对物理学的支持力度等建议,以促进中国物理学院士群体的良性发展和推动我国从物理学大国发展为物理学强国。
王冲[6]（2019）在《半导体薄膜材料电活性缺陷的谱学研究》文中指出在实际生产和研究中所使用的半导体材料都并非理想结构,都含有缺陷。它们可能是外来原子（杂质）,也可能是本身晶体结构方面的缺陷。半导体材料在生产制备和器件加工的工艺过程中往往会引入很多深能级缺陷,这些缺陷成为载流子复合中心降低了载流子寿命,从而严重影响到器件的各种参数。对半导体材料中电活性缺陷的研究在对材料电学性能评价、提高器件工作性能、器件可靠性研究、失效分析等方面,有着非常重要的意义。对缺陷的研究也是多方面的,包括缺陷的来源、缺陷在器件中的位置、缺陷的类型、缺陷的电学性质（缺陷能级、对载流子的俘获截面）等。本文以InGaAs、AlN、c-Si、a-Si1-xRux四种材料体系为研究对象,采用磁控溅射、PECVD等成膜方法,并综合运用Raman、TEM、CV、DLTS等多种手段,对半导体薄膜材料中的电活性缺陷进行了深入研究,分为以下四部分:（1）DLTS研究结果表明,MBE外延的N型InGaAs材料在生长过程中就已经引入了深能级缺陷,缺陷能级位置在距离导带0.37eV-0.42eV范围内,该深能级缺陷类型为点缺陷,为InGaAs材料中的As反位缺陷;15分钟370℃的合成气体快速退火处理不仅明显降低了InGaAs材料的表面态密度,而且对InGaAs材料层内部一定深度的缺陷对电子的俘获截面明显降低,对器件起到了非常有效的钝化作用。（2）将AlN设计为MIS电容器结构中的绝缘层,采用DLTS方法重点研究了GaN功率器件中与AlN缓冲层相关的电活性缺陷。研究发现,在AlN薄膜的CVD沉积过程中,Al原子已经向衬底硅中扩散,而衬底硅中电活性缺陷与Al原子的扩散紧密相关,在P型硅衬底中靠近AlN/Si界面位置处的电活性缺陷能级ET=0.37eV,俘获截面σp=10-16cm2,缺陷浓度随深度成递减分布状态;退火处理后,Al原子向衬底硅中更深处扩散,电活性缺陷发生演变,深能级位置由0.372eV增加到0.421eV。AlN给硅衬底引入了Al-O配合物点缺陷,且在后续的退火处理中受温度作用有聚集趋势,点缺陷逐渐向扩展态缺陷发展。（3）在单晶硅太阳能电池的制备中,尝试寻求用氢等离子体刻蚀的方法来替代氢氟酸溶液处理,如果工艺适当（流速500sccm、刻蚀时间60s）可以使少子寿命达到τeff=2.5ms。研究发现,过快的氢气流速可能会造成刻蚀不充分,而太长的刻蚀时间会导致氢等离子体对表面氧化层的过刻,二者都可增加硅衬底表面处的缺陷,对制备高性能器件不利;氢等离子体刻蚀后在a-Si:H/c-Si界面处有一层厚度约1nm的SiO2氧化层残留,可以防止单晶硅与氢化非晶硅材料发生直接接触,从而在退火过程中避免出现单晶硅向氢化非晶硅层的外延生长;DLTS研究结果表明,氢等离子体除了在表面与Si-O发生反应通过刻蚀去除表面氧化层,还会引入一定程度的类型为与晶体结构中空位相关的点缺陷,这种刻蚀引入的缺陷深度可以深达1?m,而这些缺陷可以通过氢化非晶硅薄膜的钝化得到有效的降低或消除。（4）在制备态a-Si1-xRux薄膜中,金属钌Ru有不同的存在形式。当Ru少量掺杂时,Ru原子以替位原子的方式存在于非晶硅网络结构中;当Ru掺杂度较高时,超过固溶度的Ru原子从非晶硅网络结构中析出形成Ru2Si纳米晶颗粒。Ru原子的掺杂可以对a-Si1-xRux薄膜的微结构和电学性质起到调控作用,当少量掺杂（x=0.01）时,薄膜的电阻率明显下降,TCR可以维持在2%,同时薄膜的1/f噪声有所改善。退火处理可以提高a-Si1-xRux薄膜的结构有序度,使薄膜的1/f噪声进一步降低,使其具有潜在的红外探测器应用价值。
林文璟[7]（2019）在《科技创业项目的客户价值主张创新研究 ——待办任务理论视角》文中研究表明科技成果转化是我国创新发展、建立科技强国的重要支撑。科技创业项目是科技成果转化的具体表现形式,是研究科技成果转化的切实方式,也是科技成果转化成功的必经之路。将研究的关注点聚焦在初具商业雏形的科技创业项目上,不仅降低了科技成果转化分析的盲目性,还将商业模式的相关理论,如客户价值主张理论,经转化应用于科技创业项目的研究中,为研究提供新思路。本文首先回顾了国内外客户价值主张、技术商业化、科技创业以及待办任务与场景的相关理论成果,奠定了理论基础;其次,提出应用场景中解决方案的实质是科技成果核心功能的组合,基于场景理论提出应用场景包含行为主体、客户问题、空间、时间和氛围五要素,并基于已建立的功能与应用场景的关系,以及先验知识对潜在应用场景发掘的作用机制,提出知识众包的构想;第三,建立科技创业项目中核心功能、应用场景与待办任务间的联系,形成分析框架,依据待办任务的属性（重要性、雇佣成本以及频率）及其达成情况识别科技创业项目的创新机会,提出价值创造空间分析的四个维度,包括项目维度、企业与组织维度、客户维度与市场创新机会维度;第四,提出最合适应用场景的四个基本条件是:应用场景具备创新机会、应用场景具有足够的发掘价值、项目具备创造价值的能力、以及项目具备可操作性,分析科技创业项目商业化过程中客户价值主张创新的影响因素以及创新要素;最后,将本文的研究结果与一家实现科技项目成功转化的企业实践相结合,佐证和阐释了上文的推论。本文主要聚焦于科技创业项目在商业化过程中客户价值主张的创新研究。为科技型企业、科研院所,以及未来的科技成果转化研究提供借鉴和参考。
王志华[8]（2018）在《产业链合作视角下陕西半导体产业集群协同创新研究》文中指出在开放创新的新背景下,创新不再只局限与企业之间、地区之间、国家之间,而更多是存在于产业链与产业链之间,产业集群与产业集群之间。产业集群的发展在经济发展的进程中扮演着越来越重要的角色。半导体产业作为尖端以及具有高附加值产业,对其他相关产业的带动作用明显,是在整个国民经济中具有重大战略意义的关键性骨干产业。本文基于产业链合作视角,对陕西省半导体产业集群协同创新进行了研究。首先论述了陕西省半导体产业的发展状况;第二,明确基于产业链合作视角的半导体产业集群协同创新及协同创新影响因素与绩效的概念,然后从产业链的“内含链”:企业链、价值链、技术链、供需链和空间链五个层面分析了半导体产业集群协同创新的影响因素,并选取更能代表协同创新绩效的创新直接效果作为协同创新绩效研究的依据;第三,构建基于产业链合作视角下陕西省半导体产业集群协同创新影响因素与绩效评价指标体系,并以陕西省半导体企业为样本,运用结构方程模型进一步定量分析协同创新影响因素与绩效的结构关系;第四,以实证分析结果和协同创新等理论为基础,从企业链因素、价值链因素、技术链因素、供需链因素、空间链因素以及产业发展方向六个方面详细提出了提升陕西半导体产业集群协同创新绩效的建议。这些建议一定程度上能够为陕西半导体产业集群内各创新主体提供改善思路。希望通过这些建议的实施,能够提升陕西半导体产业集群的协同创新绩效。通过理论分析和实证检验,本文得出如下结论:第一,产业链的五个“内含链”因素对产业集群协同创新绩效具有不同程度的影响。其中企业链因素的影响最大,供需链因素的影响最小;第二,各可观察变量因素对其所对应的的潜变量因素的影响程度不同;第三,陕西半导体集群企业可以从企业链因素、价值链因素、技术链因素、供需链因素、空间链因素以及产业发展方向六个方面提升陕西半导体产业集群协同创新绩效水平。
付天松[9]（2013）在《中国三代图书馆学家论着及其被引研究》文中认为图书馆学理论和图书馆工作，是学术性和实践性都很突出的一个领域。而图书馆学则既要有深厚的专业学术造诣，还要有勇于实践、善于探索的精神。图书馆学家的思想将会带动着图书馆学的发展趋势，对于图书馆的学科发展和事业发展，更有着理论和实践的双重推动性。本文依据《现代图书馆学理论》关于图书馆学家年代的划分情况，通过了解中国三代图书馆学家的生平，基于中国知网、国家数字图书馆和中国社会科学引文索引的平台检索出每位图书馆学家的论着及其被引情况，进而梳理出三代图书馆学家对学科理论和实践发展所做出的贡献。
周如培,李恩玲,冯同鑫[10]（2001）在《现代科学的奇迹——半导体技术》文中提出文章简要回顾了半导体技术五十多年的发展历史 ,介绍了晶体管、集成电路、功率半导体器件以及半导体材料的研发过程和当前的水平 ,并展望 2 1世纪初半导体技术的方向以及在信息社会中将起的作用
二、半导体技术的回顾与展望（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、半导体技术的回顾与展望（论文提纲范文）
（1）基于二维材料范德华异质结构的新型热载流子器件的研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 引言 |
| 1.1 后摩尔时代下二维材料的兴起 |
| 1.1.1 半导体产业的发展概述 |
| 1.1.2 二维材料及其器件的研究情况 |
| 1.2 基于二维材料的器件研究介绍 |
| 1.2.1 二维材料及其异质结构 |
| 1.2.2 基于二维材料的研究领域 |
| 1.3 基于二维材料的热载流子器件 |
| 1.3.1 二维材料热载流子的主要激发方式 |
| 1.3.2 基于二维材料和表面等离激元的热载流子的主要应用方向 |
| 1.4 论文的研究意义、主要思路及章节安排 |
| 1.4.1 论文的研究意义与目的 |
| 1.4.2 论文的主要研究思路 |
| 1.4.3 论文的章节安排 |
| 第二章 基于二维材料的器件的制备、表征与测试 |
| 2.1 二维材料的获取 |
| 2.2 二维异质结器件的制备方法 |
| 2.2.1 PMMA转移法 |
| 2.2.2 PC转移法 |
| 2.2.3 PVA转移法 |
| 2.2.4 PDMS转移法 |
| 2.2.5 PPC转移法 |
| 2.3 二维异质结器件的表征和测试方法 |
| 2.3.1 材料表征 |
| 2.3.2 电学测试 |
| 2.3.3 光电测试 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 石墨烯/氮化硼/石墨烯异质结构中的超热载流子 |
| 3.1 背景介绍 |
| 3.2 器件结构设计和实验方法 |
| 3.2.1 器件制备与测试方法 |
| 3.2.2 金纳米结构的设计和表征 |
| 3.2.3 器件的工作原理 |
| 3.3 超热载流子的实验研究 |
| 3.3.1 石墨烯/氮化硼/石墨烯中的本征热载流子 |
| 3.3.2 石墨烯/氮化硼/石墨烯中的超热载流子 |
| 3.3.3 石墨烯/氮化硼/石墨烯中的超热载流子的物理机制研究 |
| 3.4 微分负光电响应和物理机制的研究 |
| 3.4.1 石墨烯/氮化硼/石墨烯异质结构中的电流输运机制 |
| 3.4.2 石墨烯/氮化硼/石墨烯异质结构中负微分光电导现象 |
| 3.4.3 石墨烯/氮化硼/石墨烯异质结构中的热电子温度的偏压依赖 |
| 3.4.4 石墨烯/氮化硼/石墨烯异质结构中的负微分光电导的调制 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 基于手性热电子的常温谷电子晶体管 |
| 4.1 背景介绍 |
| 4.2 器件结构和工作原理 |
| 4.2.1 器件结构和工作原理 |
| 4.2.2 器件制备方法与测试手段 |
| 4.3 谷信号的注入、输运、探测和控制 |
| 4.3.1 谷信号的注入 |
| 4.3.2 谷极化的验证 |
| 4.3.3 谷信号的输运与探测 |
| 4.3.4 谷信号的控制 |
| 4.4 谷霍尔晶体管的应用前景 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 等离激元超构表面与石墨烯/硅集成的红外偏振探测器 |
| 5.1 背景介绍 |
| 5.2 器件结构设计和实验方法 |
| 5.2.1 器件的结构设计 |
| 5.2.2 器件的制备流程 |
| 5.2.3 器件的测试方法 |
| 5.3 器件的性能表征 |
| 5.3.1 等离激元超构表面对1550 nm光响应的增强 |
| 5.3.2 器件光响应的偏振依赖 |
| 5.3.3 四像素偏振探测器 |
| 5.3.4 四像素偏振测定的解算过程 |
| 5.3.5 器件性能的优化 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 热电子晶体管器件 |
| 6.1 背景介绍 |
| 6.2 热电子晶体管的基本结构、原理和制备 |
| 6.3 热电子晶体管的电学测试 |
| 6.4 目前存在的问题分析 |
| 6.5 基于热电子晶体管的热电子能谱分析 |
| 6.6 本章小结 |
| 第七章 总结与展望 |
| 7.1 工作总结 |
| 7.2 展望 |
| 参考文献 |
| 作者简介及在攻读博士学位期间取得的科研成果 |
（2）战后科技革命推动日本产业升级研究 ——基于创新体系的视角（论文提纲范文）
| 答辩决议书 |
| 摘要 |
| abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 选题背景及研究意义 |
| 1.1.1 选题背景 |
| 1.1.2 研究意义 |
| 1.2 文献综述 |
| 1.2.1 国内研究现状 |
| 1.2.2 国外研究现状 |
| 1.2.3 国内外研究述评 |
| 1.3 研究框架与研究方法 |
| 1.3.1 研究框架 |
| 1.3.2 研究方法 |
| 1.4 研究中的创新与不足 |
| 第2章 科技革命推动产业升级的一般分析 |
| 2.1 科技革命的概念与研究范围界定 |
| 2.1.1 科技革命的概念 |
| 2.1.2 战后科技革命研究范围的界定 |
| 2.2 科技革命推动下产业升级的内涵及研究范围界定 |
| 2.2.1 科技革命推动下产业升级的内涵 |
| 2.2.2 科技革命推动产业升级的研究范围界定 |
| 2.3 科技革命推动产业升级的理论基础 |
| 2.3.1 熊彼特创新理论 |
| 2.3.2 技术经济范式理论 |
| 2.3.3 产业技术范式理论 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 科技革命推动产业升级:基于创新体系视角的分析框架 |
| 3.1 科技革命推动产业升级的机理 |
| 3.1.1 科技革命推动产业升级的经济本质:技术经济范式转换 |
| 3.1.2 科技革命推动产业升级的传导机制:“催新”与“改旧” |
| 3.2 创新体系相关理论 |
| 3.2.1 国家创新体系理论 |
| 3.2.2 部门创新体系理论 |
| 3.3 以创新体系为切入点的分析视角 |
| 3.3.1 国家创新体系与技术经济范式匹配性分析视角 |
| 3.3.2 部门创新体系与产业技术范式匹配性分析视角 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 战后科技革命推动日本产业升级的历程与背景 |
| 4.1 科技革命推动日本产业升级的历程 |
| 4.1.1 战前科技革命成果推动下日本产业的“重化型”化(20世纪50-60年代) |
| 4.1.2 战后科技革命推动下日本产业的“轻薄短小”化(20世纪70-80年代) |
| 4.1.3 战后科技革命推动下日本产业的“信息”化(20世纪90年代后) |
| 4.2 战后科技革命推动日本产业升级的背景 |
| 4.2.1 重化型产业结构的局限性日渐凸显 |
| 4.2.2 世界性科技革命的爆发为日本提供了机遇 |
| 4.2.3 日本经济的高速增长奠定了经济基础 |
| 4.2.4 日本的“引进消化吸收再创新”战略奠定了技术基础 |
| 4.3 本章小结 |
| 第5章 战后科技革命推动日本产业升级:基于国家创新体系的分析 |
| 5.1 技术经济范式转换的载体:日本国家创新体系 |
| 5.2 科技革命推动日本产业升级中政府支持创新的行为 |
| 5.2.1 传递最新科技情报并辅助企业引进技术 |
| 5.2.2 适时调整科技发展战略和产业结构发展方向 |
| 5.2.3 制定激励企业研发的经济政策和专利保护制度 |
| 5.2.4 采取措施加速新技术产业化的进程 |
| 5.2.5 改革教育体制并强化人才引进制度 |
| 5.3 科技革命推动日本产业升级中企业的创新行为 |
| 5.3.1 注重提升自主创新能力 |
| 5.3.2 遵循技术创新的“现场优先主义”原则 |
| 5.3.3 实行考虑市场因素的“商品研制、推销一贯制” |
| 5.3.4 将资金集中投向开发研究和创新链的中下游环节 |
| 5.3.5 重视对在职人员的科技教育和技术培训 |
| 5.4 科技革命推动日本产业升级中大学和科研机构的创新行为 |
| 5.4.1 从事与产业技术密切相关的基础和应用研究 |
| 5.4.2 重视通识教育和“强固山脚”教育 |
| 5.4.3 培养了大量的理工类高科技人才 |
| 5.5 科技革命推动日本产业升级中的创新主体联盟 |
| 5.5.1 产学官联合攻关尖端技术 |
| 5.5.2 建立能够促进科技成果转化的中介机构 |
| 5.5.3 联合培养和引进优秀人才 |
| 5.6 日本国家创新体系与技术经济范式的匹配性评析 |
| 5.6.1 日本国家创新体系与微电子技术经济范式相匹配 |
| 5.6.2 “追赶型”国家创新体系与“应用开发型”技术经济范式相匹配 |
| 5.7 本章小结 |
| 第6章 战后科技革命催生日本主要新兴产业:基于部门创新体系的分析 |
| 6.1 新兴产业技术范式的形成与日本部门创新体系 |
| 6.2 微电子技术催生下日本半导体产业的兴起和发展 |
| 6.2.1 微电子技术产业化中政府支持创新的行为 |
| 6.2.2 微电子技术产业化中企业的创新行为 |
| 6.2.3 微电子技术产业化中科研机构的创新行为 |
| 6.2.4 微电子技术产业化中的创新主体联盟 |
| 6.2.5 微电子技术产业化中的需求因素 |
| 6.3 计算机技术催生下日本计算机产业的兴起与发展 |
| 6.3.1 计算机技术产业化中政府支持创新的行为 |
| 6.3.2 计算机技术产业化中企业的创新行为 |
| 6.3.3 计算机技术产业化中的创新主体联盟 |
| 6.3.4 计算机技术产业化中的需求因素 |
| 6.4 日本部门创新体系与新兴产业技术范式形成的匹配性评析 |
| 6.4.1 部门创新体系与半导体产业技术范式形成相匹配 |
| 6.4.2 部门创新体系与计算机产业技术范式形成相匹配 |
| 6.4.3 部门创新体系与新兴产业技术范式形成相匹配 |
| 6.5 本章小结 |
| 第7章 战后科技革命改造日本主要传统产业:基于部门创新体系的分析 |
| 7.1 科技革命改造传统产业的本质:传统产业技术范式变革 |
| 7.2 微电子技术改造下日本工业机器自动化的发展 |
| 7.2.1 工业机器自动化中政府支持创新的行为 |
| 7.2.2 工业机器自动化中企业的创新行为 |
| 7.2.3 工业机器自动化中的创新主体联盟 |
| 7.2.4 工业机器自动化中的需求因素 |
| 7.3 微电子技术改造下日本汽车电子化的发展 |
| 7.3.1 汽车电子化中政府支持创新的行为 |
| 7.3.2 汽车电子化中企业的创新行为 |
| 7.3.3 汽车电子化中的创新主体联盟 |
| 7.3.4 汽车电子化中的需求因素 |
| 7.4 日本部门创新体系与传统产业技术范式变革的匹配性评析 |
| 7.4.1 部门创新体系与工业机器产业技术范式变革相匹配 |
| 7.4.2 部门创新体系与汽车产业技术范式变革相匹配 |
| 7.4.3 部门创新体系与传统产业技术范式变革相匹配 |
| 7.5 本章小结 |
| 第8章 创新体系视角下战后科技革命推动日本产业升级的经验与教训 |
| 8.1 战后科技革命推动日本产业升级的经验 |
| 8.1.1 构建了与微电子技术经济范式相匹配的国家创新体系 |
| 8.1.2 重视创新体系的层级性和差异性建设 |
| 8.1.3 加速推进新兴产业技术范式的形成 |
| 8.1.4 借力科技革命的“双重性质”推动新旧产业协调发展 |
| 8.2 战后科技革命推动日本产业升级的教训 |
| 8.2.1 创新体系的基础研究能力不足 |
| 8.2.2 创新体系不利于颠覆性技术创新的产生 |
| 8.2.3 政府主导下的大型研发项目模式存在定向失误的弊端 |
| 8.3 本章小结 |
| 第9章 创新体系视角下战后科技革命推动日本产业升级对我国的启示 |
| 9.1 新一轮科技革命给我国产业升级带来的机遇 |
| 9.1.1 为我国产业升级提供“机会窗口” |
| 9.1.2 为我国新兴产业“追跑”“齐跑”与“领跑”的并行发展提供机遇 |
| 9.1.3 为我国传统制造业的高质量发展创造了机会 |
| 9.2 构建与新一轮科技革命推动产业升级相匹配的创新体系 |
| 9.2.1 构建国家创新生态体系 |
| 9.2.2 重视部门创新体系的“产业间差异性” |
| 9.2.3 形成与新兴产业技术范式相匹配的部门创新体系 |
| 9.2.4 建设能够促进传统产业技术范式演化升级的部门创新体系 |
| 9.3 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间的科研成果 |
| 致谢 |
（3）基于绿色供应链管理的DDPO公司供应商管理研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 研究背景、研究意义与研究目的 |
| 1.1.1 研究背景 |
| 1.1.2 研究意义 |
| 1.1.3 研究目的 |
| 1.2 国内外研究文献综述 |
| 1.2.1 国内文献研究综述 |
| 1.2.2 国外文献研究综述 |
| 1.2.3 国内外文献研究现状评述 |
| 1.3 研究的基本思路、研究方法和创新之处 |
| 1.3.1 研究思路方法 |
| 1.3.2 技术路线 |
| 1.3.3 创新之处 |
| 1.4 绪论小结 |
| 第2章 绿色供应链理论及供应商管理理论 |
| 2.1 绿色供应链理论 |
| 2.1.1 绿色供应链及绿色供应链管理基本概念 |
| 2.1.2 绿色供应链管理目标 |
| 2.1.3 绿色供应链管理内容与特点 |
| 2.2 供应商管理 |
| 2.2.1 供应商质量管理 |
| 2.2.2 供应商关系管理 |
| 2.2.3 供应商管理效率 |
| 2.3 本章小结 |
| 第3章 基于绿色供应链理论DDPO公司供应商管理现状与分析 |
| 3.1 DDPO公司简介 |
| 3.2 基于绿色供应链理论的DDPO公司供应商管理现状 |
| 3.2.1 供应商质量管理现状及分析 |
| 3.2.2 供应商关系管理现状及分析 |
| 3.2.3 供应商管理有效性的现状及分析 |
| 3.3 本章小结 |
| 第4章 基于绿色供应链的DDPO公司供应商质量管理问题优化方案 |
| 4.1 基于绿色供应链的DDPO公司供应商质量管理问题优化方案 |
| 4.2 基于绿色供应链的DDPO公司供应商质量评价优化指标设计 |
| 4.2.1 指标筛选 |
| 4.2.2 指标测评 |
| 4.2.3 指标测评结果统计分析 |
| 4.2.4 指标确定 |
| 4.2.5 指标权重确定 |
| 4.3 本章小结 |
| 第5章 基于绿色供应链的DDPO公司供应商关系管理问题优化方案 |
| 5.1 基于绿色供应链管理的DDPO公司供应商关系管理的问题 |
| 5.2 供应商等级标准设计 |
| 5.2.1 优等供应商标准设计 |
| 5.2.2 中等供应商标准设计 |
| 5.2.3 差等供应商标准设计 |
| 5.3 各级供应商关系维护设计 |
| 5.3.1 各级供应商合作与决策机制设计 |
| 5.3.2 各级供应商激励机制设计 |
| 5.3.3 各级供应商风险与信任机制设计 |
| 5.4 基于绿色供应链的DDPO公司供应商关系持续监管设计 |
| 5.4.1 各级供应商定期审核时间设计 |
| 5.4.2 供应商等级变动机制设计 |
| 5.5 本章小结 |
| 第6章 基于绿色供应链的DDPO公司供应商管理效率优化设计 |
| 6.1 供应商管理有效性问题 |
| 6.2 供应商管理体系中的重复与无效流程优化 |
| 6.2.1 重复流程优化 |
| 6.2.2 无效流程优化 |
| 6.3 缺失流程优化 |
| 6.3.1 新增人员职责设计 |
| 6.3.2 新增流程 |
| 6.4 基于价值流程图的供应商管理相关持续效率改进优化 |
| 6.4.1 供应商管理中的基于价值流程的持续效率评估 |
| 6.4.2 供应商管理中的持续改进流程设计 |
| 6.5 本章小结 |
| 第7章 实施保障 |
| 7.1 组织保障 |
| 7.2 流程保障 |
| 第8章 结论与展望 |
| 8.1 结论 |
| 8.2 展望 |
| 参考文献 |
（4）Pipelined SAR模数转换关键技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究工作的背景与意义 |
| 1.2 Pipelined SAR模数转换器国内外研究历史与现状 |
| 1.3 本文的主要贡献与创新 |
| 1.4 本论文的结构安排 |
| 第二章 Pipelined SAR模数转换器介绍与技术回顾 |
| 2.1 Pipelined SAR模数转换器介绍 |
| 2.2 Pipelined SAR模数转换器架构优化技术 |
| 2.2.1 无前置采样保持电路设计技术 |
| 2.2.2 冗余技术 |
| 2.3 高速逐次逼近模数转换器实现技术 |
| 2.3.1 高速逐次逼近逻辑电路 |
| 2.3.2 高速高精度比较器电路 |
| 2.3.3 高速低功耗电容式数字模拟转换电路 |
| 2.3.4 逐次逼近模数转换器失配校正技术 |
| 2.4 低功耗残差放大技术 |
| 2.4.1 基于运算放大器的残差放大器 |
| 2.4.2 低功耗动态残差放大器 |
| 2.4.3 残差放大器失配校正技术 |
| 2.5 基于Pipelined SAR模数转换器的时间交织技术 |
| 2.5.1 全交织技术 |
| 2.5.2 部分交织技术 |
| 2.5.3 时间交织模数转换器失配校正技术 |
| 2.6 本章小结 |
| 第三章 Pipelined SAR模数转换器架构设计及失配校正 |
| 3.1 Pipelined SAR模数转换器架构设计 |
| 3.1.1 两步式Pipelined SAR逐次逼近模数转换器 |
| 3.1.2 流水线级精度优化 |
| 3.1.3 残差转移方案 |
| 3.1.4 冗余技术与速度的关系 |
| 3.2 失调失配校正及电容失配校正 |
| 3.2.1 失调失配校正 |
| 3.2.2 电容失配校正 |
| 3.3 基于二阶导数的增益失配校正 |
| 3.3.1 基于二阶导数的校正原理 |
| 3.3.2 影响因素分析及算法验证 |
| 3.4 双通道时间交织Pipelined SAR ADC及失配校正验证 |
| 3.4.1 Pipelined SAR ADC时间交织技术的实现 |
| 3.4.2 双通道全交织Pipelined SAR ADC校正方案研究 |
| 3.4.3 双通道时间交织Pipelined SAR ADC失配校正方案验证 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 Pipelined SAR模数转换器关键电路设计 |
| 4.1 高线性度采样保持电路设计 |
| 4.1.1 前级采样保持电路 |
| 4.1.2 后级采样保持电路 |
| 4.2 高速低功耗逐次逼近逻辑电路设计 |
| 4.2.1 数据触发逻辑 |
| 4.2.2 高速低功耗准静态锁存器电路 |
| 4.2.3 准静态锁存器的漏电问题分析 |
| 4.3 比较器延时辅助量化技术的实现 |
| 4.3.1 比较器延时辅助每周期多位量化的实现 |
| 4.3.2 比较器延时辅助过采样量化的实现 |
| 4.4 基于电荷采样的低噪声动态残差放大器设计 |
| 4.4.1 低功耗动态残差放大器 |
| 4.4.2 增益PVT稳定技术的实现 |
| 4.4.3 非理想因素分析 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 16位125 MSPS Pipelined SAR ADC的物理实现与测试 |
| 5.1 电路与版图 |
| 5.1.1 主体电路 |
| 5.1.2 版图及后仿真 |
| 5.2 芯片性能测试 |
| 5.2.1 芯片照片及测试板设计 |
| 5.2.2 静态参数测试 |
| 5.2.3 动态参数测试 |
| 5.2.4 功耗测试 |
| 5.3 测试结果分析 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 全文总结与展望 |
| 6.1 全文总结 |
| 6.2 后续工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 |
（5）中国物理学院士群体计量研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| ABSTRACT |
| 绪论 |
| 一、文献综述 |
| 二、论文选题和研究内容 |
| 三、研究的创新与不足 |
| 第一章 中国物理学院士的产生与本土化 |
| 1.1 民国时期中国物理学院士的产生 |
| 1.1.1 国民政府中央研究院推选产生中国第一届物理学院士 |
| 1.1.2 国立北平研究院推选出与“院士”资格相当的物理学会员 |
| 1.2 当代中国物理学院士的本土化 |
| 1.2.1 中国科学院推选产生物理学学部委员 |
| 1.2.2 中国科学院物理学院士与中国工程院物理学院士的发展 |
| 1.3 其他国家和国际组织的华裔物理学院士 |
| 1.4 中国物理学院士名单与增选趋势分析 |
| 1.4.1 中国物理学院士的名单汇总 |
| 1.4.2 中国本土物理学院士总体增选趋势 |
| 第二章 中国物理学院士总体特征的计量分析 |
| 2.1 中国物理学院士基本情况的计量分析 |
| 2.1.1 女性物理学院士占比较低 |
| 2.1.2 院士整体老龄化问题严重 |
| 2.1.3 出生地域集中于东南沿海地区 |
| 2.2 中国物理学院士教育经历的计量分析 |
| 2.2.1 学士学位结构 |
| 2.2.2 硕士学位结构 |
| 2.2.3 博士学位结构 |
| 2.3 中国物理学院士归国工作情况的计量分析 |
| 2.3.1 留学物理学院士的归国年代趋势 |
| 2.3.2 国内工作单位的“集聚性”较强 |
| 2.3.3 物理学院士的国外工作单位 |
| 2.4 中国物理学院士从事物理学分支交叉学科的计量分析 |
| 2.4.1 物理学院士从事分支交叉学科的归类统计 |
| 2.4.2 物理学院士获得国际科技奖励的计量分析 |
| 2.4.3 物理学院士获得国内科技奖励的计量分析 |
| 第三章 中国理论物理学院士群体的计量分析 |
| 3.1 中国理论物理学院士基本情况的计量分析 |
| 3.1.1 存在老龄化问题,当选年龄集中于“51-60 岁” |
| 3.1.2 博士占比52.83%,地方高校理论物理教育水平有所提高 |
| 3.2 中国理论物理学院士研究领域的计量分析 |
| 3.2.1 主要分布于凝聚态理论和纯理论物理等领域 |
| 3.2.2 20 世纪后半叶当选的理论物理学院士内师承关系显着 |
| 3.3 中国理论物理学院士的发展趋势分析 |
| 3.3.1 理论物理学院士的增选总体呈上升趋势 |
| 3.3.2 理论物理学院士研究领域的发展趋势 |
| 3.4 小结 |
| 第四章 中国凝聚态物理学院士群体的计量分析 |
| 4.1 中国凝聚态物理学院士基本情况的计量分析 |
| 4.1.1 存在老龄化问题,当选年龄集中于“51—60 岁” |
| 4.1.2 博士占比57.83%,国外博士学位占比将近80% |
| 4.1.3 女性物理学院士在凝聚态物理领域崭露头角 |
| 4.2 中国凝聚态物理学院士研究领域的计量分析 |
| 4.2.1 主要分布于半导体物理学、晶体学和超导物理学等领域 |
| 4.2.2 凝聚态物理学的一些传统研究领域内师承关系显着 |
| 4.2.3 凝聚态物理学院士集聚于若干研究中心 |
| 4.3 中国凝聚态物理学院士的发展趋势分析 |
| 4.3.1 凝聚态物理学院士的增选总体呈上升趋势 |
| 4.3.2 凝聚态物理学院士研究领域的发展趋势 |
| 4.4 小结 |
| 第五章 中国光学院士群体的计量分析 |
| 5.1 中国光学院士基本情况的计量分析 |
| 5.1.1 存在老龄化问题,当选年龄集中于“61—70 岁” |
| 5.1.2 博士占比54.84%,本土培养的光学博士逐渐增多 |
| 5.2 中国光学院士研究领域的计量分析 |
| 5.2.1 研究领域集中分布于应用物理学和激光物理学 |
| 5.2.2 光学院士工作单位的“集聚性”较强 |
| 5.3 光学院士的发展趋势分析 |
| 5.3.1 光学院士的增选总体呈上升趋势 |
| 5.3.2 光学院士研究领域的发展趋势 |
| 5.4 小结 |
| 第六章 中国高能物理学院士群体的计量分析 |
| 6.1 中国高能物理学院士基本情况的计量分析 |
| 6.1.1 老龄化问题严重,当选年龄集中于“51—60 岁” |
| 6.1.2 博士占比53.85%,国外博士学位占比超过85% |
| 6.2 中国高能物理学院士研究领域的计量分析 |
| 6.2.1 高能物理实验与基本粒子物理学分布较均衡 |
| 6.2.2 高能物理学院士的工作单位集聚性与分散性并存 |
| 6.3 中国高能物理学院士的发展趋势分析 |
| 6.3.1 高能物理学院士的增选总体呈平稳趋势 |
| 6.3.2 高能物理学院士研究领域的发展趋势 |
| 6.4 小结 |
| 第七章 中国原子核物理学院士群体的计量分析 |
| 7.1 中国原子核物理学学院士基本情况的计量分析 |
| 7.1.1 老龄化问题严重,80 岁以下院士仅有3 人 |
| 7.1.2 博士占比48.84%,国外博士学位占比超过95% |
| 7.1.3 女性院士在原子核物理学领域的杰出贡献 |
| 7.2 中国原子核物理学院士研究领域的计量分析 |
| 7.2.1 原子核物理学院士在各研究领域的分布情况 |
| 7.2.2 参与“两弹”研制的院士内部师承关系显着 |
| 7.3 中国原子核物理学院士的发展趋势分析 |
| 7.3.1 原子核物理学院士的增选总体呈下降趋势 |
| 7.3.2 原子核物理学院士研究领域的发展趋势 |
| 7.4 小结 |
| 第八章 其他物理学分支和部分交叉学科院士群体的计量分析 |
| 8.1 中国天体物理学院士群体的计量分析 |
| 8.1.1 天体物理学院士本土培养特征明显 |
| 8.1.2 天体物理学院士的增选总体呈平稳上升趋势 |
| 8.1.3 天体物理学院士研究领域的发展趋势 |
| 8.2 中国生物物理学院士群体的计量分析 |
| 8.2.1 群体年龄较小,当选年龄集中于“41—50 岁” |
| 8.2.2 生物物理学院士研究领域的发展趋势 |
| 8.3 中国工程热物理院士群体的计量分析 |
| 8.3.1 工程热物理院士内部师承关系十分显着 |
| 8.3.2 工程热物理院士研究领域的发展趋势 |
| 8.4 中国地球物理学院士群体的计量分析 |
| 8.4.1 主要分布于固体地球物理学和空间物理学研究领域 |
| 8.4.2 地球物理学院士研究领域的发展趋势 |
| 8.5 部分分支交叉学科院士群体的计量分析 |
| 8.5.1 电子物理学和声学院士的增选呈下降趋势 |
| 8.5.2 中国物理力学由应用走向理论 |
| 8.5.3 中国量子信息科技呈迅速崛起之势 |
| 第九章 中国物理学院士计量分析的比较研究和趋势分析 |
| 9.1 各分支交叉学科间物理学院士基本情况的比较研究 |
| 9.1.1 一些新兴研究领域物理学院士年轻化趋势明显 |
| 9.1.2 21世纪以来本土培养的物理学院士占比一半以上 |
| 9.1.3 女性物理学院士在实验物理领域分布较多 |
| 9.2 中国物理学院士研究领域的发展趋势分析 |
| 9.2.1 各分支交叉学科内的横向发展趋势分析 |
| 9.2.2 各分支交叉学科的纵向年代发展趋势分析 |
| 9.3 中国物理学院士代际演化的趋势分析 |
| 9.3.1 第一代物理学院士初步完成了中国物理学的建制 |
| 9.3.2 第二代物理学院士完成了中国物理学主要分支学科的奠基 |
| 9.3.3 第三代物理学院士在国防科技和物理学科拓展中有着突出贡献 |
| 9.3.4 第四代物理学院士在推进物理学深入发展方面贡献较大 |
| 9.3.5 新一代物理学院士科技成果的国际影响力显着增强 |
| 第十章 中国物理学院士的群体结构特征和发展趋势特征 |
| 10.1 中国物理学院士的群体结构特征 |
| 10.1.1 整体老龄化问题严重,但年轻化趋向较为明显 |
| 10.1.2 整体学历水平较高,本土培养物理学精英的能力增强 |
| 10.1.3 女性物理学院士占比较低,但科技贡献突出 |
| 10.1.4 空间结构“集聚性”较强,但近些年“集聚性”逐渐被打破 |
| 10.2 中国物理学院士研究领域发展的趋势特征 |
| 10.2.1 物理学科中交叉性较强的研究领域具有极大的发展潜力 |
| 10.2.2 物理学科中应用性较强的研究领域产业化趋势明显 |
| 10.2.3 当代物理学的发展与科研实验设施的关系越发紧密 |
| 10.3 中国物理学院士代际演化的趋势特征 |
| 10.3.1 新中国成立初期国家需求导向下的相关物理学科迅猛发展 |
| 10.3.2 20世纪80 年代以来院士研究兴趣与国家支持政策相得益彰 |
| 10.3.3 21世纪以来院士个体对学科发展的主导作用越来越大 |
| 第十一章 中国物理学院士群体的成长路径 |
| 11.1 影响中国物理学院士成长的宏观要素 |
| 11.1.1 社会时代发展大背景的影响一直存在 |
| 11.1.2 国家发展战略需求导向要素有所减弱 |
| 11.1.3 国家科技管理制度的要素影响有所增强 |
| 11.1.4 中国传统文化对物理学院士潜移默化的影响 |
| 11.2 影响中国物理学院士成长的中观要素 |
| 11.2.1 物理学学科前沿发展需求的导向要素显着增强 |
| 11.2.2 空间结构“集聚性”的影响逐渐在减弱 |
| 11.2.3 师承关系的影响主要体现于学科延承方面 |
| 11.3 影响中国物理学院士成长的微观要素 |
| 11.3.1 性别差异对物理学家社会分层的影响很弱 |
| 11.3.2 年龄要素对物理学院士成长具有一定的影响 |
| 11.3.3 个人研究兴趣对物理学院士的成长影响增强 |
| 11.4 结语与展望 |
| 附录 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间取得的研究成果 |
| 致谢 |
| 个人简况及联系方式 |
（6）半导体薄膜材料电活性缺陷的谱学研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 半导体材料及其缺陷概述 |
| 1.1.1 半导体材料发展简史 |
| 1.1.2 典型半导体材料的器件应用 |
| 1.2 典型半导体器件制备工艺及其可靠性评价 |
| 1.2.1 基本制备工艺 |
| 1.2.2 可靠性检测 |
| 1.3 半导体材料电活性缺陷的研究概况及存在问题 |
| 1.3.1 InGaAs材料体系器件应用及其缺陷研究 |
| 1.3.2 GaN器件中AlN生长工艺及其缺陷研究 |
| 1.3.3 硅基光伏太阳能电池及其电活性缺陷研究 |
| 1.3.4 存在问题与解决思路 |
| 1.4 本论文主要工作 |
| 1.4.1 选题意义 |
| 1.4.2 主要研究内容 |
| 1.4.3 文章结构安排 |
| 第二章 半导体物理基础及其电活性缺陷表征方法 |
| 2.1 半导体物理基础 |
| 2.1.1 半导体材料种类 |
| 2.1.2 掺杂 |
| 2.1.3 缺陷 |
| 2.2 半导体材料电学测试方法 |
| 2.2.1 电容-电压C-V特性测试 |
| 2.2.3 噪声测试 |
| 2.2.4 霍尔测试 |
| 2.3 深能级瞬态谱DLTS测试原理及其应用 |
| 2.3.1 深能级缺陷 |
| 2.3.2 DLTS原理 |
| 2.3.3 DLTS测试方法与应用 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 铟镓砷薄膜材料电活性缺陷研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 制备态铟镓砷MOS器件缺陷研究 |
| 3.2.1 研究背景 |
| 3.2.2 实验过程 |
| 3.2.3 结果分析 |
| 3.3 退火处理对铟镓砷MOS器件缺陷的影响 |
| 3.3.1 研究背景 |
| 3.3.2 实验过程 |
| 3.3.3 结果分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 氮化镓功率器件中氮化铝缓冲层的电活性缺陷研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 氮化铝MIS器件结构 |
| 4.3 硅衬底掺杂浓度对氮化铝MIS器件深能级缺陷的影响 |
| 4.3.1 研究背景 |
| 4.3.2 实验过程 |
| 4.3.3 结果分析 |
| 4.4 退火处理对氮化铝MIS器件深能级缺陷的影响 |
| 4.4.1 研究背景 |
| 4.4.2 实验过程 |
| 4.4.3 结果分析 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 氢等离子体刻蚀对硅衬底表面电活性缺陷的研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 肖特基二极管结构及其制备 |
| 5.3 氢等离子体刻蚀对硅衬底表面缺陷的影响 |
| 5.3.1 研究背景 |
| 5.3.2 实验过程 |
| 5.3.3 结果分析 |
| 5.4 氢化非晶硅薄膜的钝化作用研究 |
| 5.4.1 研究背景 |
| 5.4.2 实验过程 |
| 5.4.3 结果分析 |
| 5.5 本章小结 |
| 第六章 非晶硅钌薄膜材料中微结构与电学性能的研究 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 非晶硅钌薄膜制备 |
| 6.3 钌掺杂浓度对非晶硅钌薄膜微结构及导电性的影响 |
| 6.3.1 研究背景 |
| 6.3.2 实验过程 |
| 6.3.3 结果分析 |
| 6.4 钌掺杂浓度对非晶硅钌薄膜1/f噪声的影响 |
| 6.4.1 研究背景 |
| 6.4.2 实验过程 |
| 6.4.3 结果分析 |
| 6.5 本章小结 |
| 第七章 全文总结与展望 |
| 7.1 全文工作总结 |
| 7.2 创新点 |
| 7.3 后续工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 |
（7）科技创业项目的客户价值主张创新研究 ——待办任务理论视角（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 问题提出 |
| 1.3 研究目的与意义 |
| 1.4 研究内容与研究框架 |
| 1.5 技术路线与研究方法 |
| 1.6 可能的创新点 |
| 第二章 相关研究综述和理论基础 |
| 2.1 关于客户价值主张研究 |
| 2.2 关于技术商业化研究 |
| 2.3 关于科技创业研究 |
| 2.4 相关理论基础 |
| 2.5 总结与启示 |
| 第三章 科技创业项目的潜在应用场景发掘分析 |
| 3.1 科技成果核心功能与应用场景构成分析 |
| 3.2 影响科技创业项目应用场景发现的因素分析 |
| 3.3 基于知识众包的科技创业项目潜在应用场景发掘分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 科技创业项目特定应用场景中的创新机会分析 |
| 4.1 特定应用场景中的待办任务发现分析 |
| 4.2 特定应用场景中的待办任务属性分析 |
| 4.3 基于待办任务达成的创新机会及其价值创造空间分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 基于创新机会的科技创业项目客户价值主张创新 |
| 5.1 科技创业项目的最合适应用场景选择依据分析 |
| 5.2 最合适应用场景中的客户价值主张创新影响因素分析 |
| 5.3 最合适应用场景中的客户价值主张创新分析 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 案例研究 |
| 6.1 案例选择 |
| 6.2 数据收集 |
| 6.3 案例:从非线性光学晶体项目到上市公司 |
| 6.4 结果与讨论 |
| 第七章 结论与展望 |
| 7.1 结论 |
| 7.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录 |
| 作者简介 |
（8）产业链合作视角下陕西半导体产业集群协同创新研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景及问题提出 |
| 1.2 国内外文献研究综述 |
| 1.2.1 产业链合作关系研究 |
| 1.2.2 产业集群研究 |
| 1.2.3 协同创新研究 |
| 1.2.4 产业集群协同创新研究 |
| 1.3 研究意义 |
| 1.4 研究内容和方法 |
| 1.4.1 研究内容 |
| 1.4.2 研究方法 |
| 1.5 研究路线图 |
| 第二章 产业集群与相关理论介绍 |
| 2.1 产业链理论 |
| 2.1.1 产业链 |
| 2.1.2 产业链的“内含链” |
| 2.2 产业集群相关理论 |
| 2.2.1 产业集群的概念 |
| 2.2.2 产业集群与产业链的区别与联系 |
| 2.2.3 产业集群协同创新的概念 |
| 2.3 本章小结 |
| 第三章 产业链合作视角下陕西半导体产业集群发展现状 |
| 3.1 半导体产业概述 |
| 3.2 陕西半导体产业发展状况 |
| 3.2.1 产业规模情况 |
| 3.2.2 产业链发展情况 |
| 3.2.3 陕西半导体产业特点 |
| 3.2.4 陕西半导体产业“十二五”回顾 |
| 3.3 陕西半导体产业发展环境 |
| 3.3.1 半导体产业政策 |
| 3.3.2 陕西半导体产业投资环境 |
| 3.3.3 陕西半导体产业人才状况 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 陕西半导体产业集群协同创新影响因素与绩效的实证研究 |
| 4.1 基于产业链合作视角的产业集群协同创新的影响因素 |
| 4.2 基于产业链合作视角的产业集群协同创新绩效分析 |
| 4.3 研究假设和模型构建 |
| 4.4 数据收集 |
| 4.5 陕西省半导体产业集群协同创新结构方程模型分析 |
| 4.5.1 信度及效度分析 |
| 4.5.2 结构方程模型检验 |
| 4.5.3 模型结果分析 |
| 4.6 本章小结 |
| 第五章 陕西半导体产业集群协同创新绩效提升建议 |
| 5.1“企业链”因素方面 |
| 5.1.1 建立有效的培养及激励机制 |
| 5.1.2 加大企业技术创新支持力度 |
| 5.2“价值链”因素方面 |
| 5.3“技术链”因素方面 |
| 5.3.1 选择合适的技术创新战略 |
| 5.3.2 建立适合的技术创新组织 |
| 5.3.3 加强技术创新的风险防范 |
| 5.4“供需链”因素方面 |
| 5.4.1 选择恰当的战略合作伙伴 |
| 5.4.2 企业间建立互联互通的信息共享平台 |
| 5.4.3 建立有效的绩效评价体系 |
| 5.5“空间链”因素方面 |
| 5.5.1 完善集群创新网络 |
| 5.5.2 营造集群创新环境 |
| 5.6 陕西半导体发展方向方面 |
| 5.7 本章小结 |
| 第六章 研究结论与展望 |
| 6.1 研究结论 |
| 6.2 研究展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
| 附录A 调查问卷 |
（9）中国三代图书馆学家论着及其被引研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 一、选题目的与意义 |
| 二、研究现状 |
| 2 中国三代图书馆学家的论着 |
| 2.1 第一代图书馆学家的论着 |
| 2.1.1 沈祖荣的论着 |
| 2.1.2 胡庆生的论着 |
| 2.1.3 刘国钧的论着 |
| 2.1.4 洪有丰的论着 |
| 2.1.5 戴志骞的论着 |
| 2.1.6 袁同礼的论着 |
| 2.1.7 李小缘的论着 |
| 2.1.8 杜定友的论着 |
| 2.1.9 杨昭惁的论着 |
| 2.2 第二代图书馆学家的论着 |
| 2.2.1 桂质柏的论着 |
| 2.2.2 裘开明的论着 |
| 2.2.3 马宗荣的论着 |
| 2.2.4 查修的论着 |
| 2.2.5 皮高品的论着 |
| 2.2.6 周连宽的论着 |
| 2.2.7 吕绍虞的论着 |
| 2.2.8 张遵俭的论着 |
| 2.2.9 严文郁的论着 |
| 2.2.10 毛坤的论着 |
| 2.2.11 汪应文的论着 |
| 2.2.12 汪长炳的论着 |
| 2.2.13 钱亚新的论着 |
| 2.2.14 柳诒徵的论着 |
| 2.2.15 万国鼎的论着 |
| 2.2.16 王云五的论着 |
| 2.2.17 王献唐的论着 |
| 2.2.18 王重民的论着 |
| 2.2.19 张秀民的论着 |
| 2.3 第三代图书馆学家的论着 |
| 2.3.1 彭斐章的论着 |
| 2.3.2 佟曾功的论着 |
| 2.3.3 鲍振西的论着 |
| 2.3.4 赵世良的论着 |
| 2.3.5 郑莉莉的论着 |
| 2.3.6 赵琦的论着 |
| 2.3.7 孙云畴的论着 |
| 2.3.8 陈誉的论着 |
| 2.3.9 周文骏的论着 |
| 2.3.10 朱天俊的论着 |
| 2.3.11 张琪玉的论着 |
| 2.3.12 黄宗忠的论着 |
| 2.3.13 谢灼华的论着 |
| 2.3.14 白国应的论着 |
| 2.3.15 陈光祚的着作 |
| 2.3.16 倪波的论着 |
| 2.3.17 金恩晖的论着 |
| 2.3.18 吴慰慈的论着 |
| 2.3.19 肖自力的论着 |
| 2.3.20 谭祥金的论着 |
| 2.3.21 杜克的论着 |
| 2.3.22 黄俊贵的论着 |
| 2.3.23 辛希孟的论着 |
| 2.3.24 沈迪飞的论着 |
| 2.3.25 张德芳的论着 |
| 2.3.26 钟守真的论着 |
| 2.3.27 侯汉清的论着 |
| 2.3.28 徐引篪的论着 |
| 2.3.29 左恭的论着 |
| 2.3.30 胡耀辉的论着 |
| 2.3.31 丁志刚的论着 |
| 2.3.32 杨威理的论着 |
| 2.3.33 阎立中的论着 |
| 2.3.34 孟广均的论着 |
| 2.3.35 黄长着的论着 |
| 2.3.36 刘湘生的论着 |
| 本章小结 |
| 3 中国三代图书馆学家论着被引情况 |
| 3.1 第一代图书馆学家论着被引情况 |
| 3.1.1 沈祖荣论着的被引情况 |
| 3.1.2 胡庆生论着的被引情况 |
| 3.1.3 刘国钧论着的被引情况 |
| 3.1.4 洪有丰论着的被引情况 |
| 3.1.5 戴志骞论着的被引情况 |
| 3.1.6 袁同礼论着的被引情况 |
| 3.1.7 李小缘的论着被引情况 |
| 3.1.8 杜定友论着的被引情况 |
| 3.1.9 杨昭惁论着的被引情况 |
| 3.1.10 第一代图书馆学家着作被引数排名 |
| 3.1.11 第一代图书馆学家论文被引数排名 |
| 3.1.12 第一代图书馆学家论着被引总数排名 |
| 3.2 第二代图书馆学家论着被引情况 |
| 3.2.1 桂质柏论着的被引情况 |
| 3.2.2 裘开明论着的被引情况 |
| 3.2.3 马宗荣论着的被引情况 |
| 3.2.4 查修论着的被引情况 |
| 3.2.5 皮高品论着的被引情况 |
| 3.2.6 周连宽论着的被引情况 |
| 3.2.7 吕绍虞论着的被引情况 |
| 3.2.8 张遵俭论着的被引情况 |
| 3.2.9 严文郁论着的被引情况 |
| 3.2.10 毛坤论着的被引情况 |
| 3.2.11 汪应文论着的被引情况 |
| 3.2.12 汪长炳论着的被引情况 |
| 3.2.13 钱亚新论着的被引情况 |
| 3.2.14 柳诒徵论着的被引情况 |
| 3.2.15 万国鼎论着的被引情况 |
| 3.2.16 王云五论着的被引情况 |
| 3.2.17 王献唐论着的被引情况 |
| 3.2.18 王重民论着的被引情况 |
| 3.2.19 张秀民论着的被引情况 |
| 3.2.20 第二代图书馆学家着作被引数排名 |
| 3.2.21 第二代图书馆学家论文被引数排名 |
| 3.2.22 第二代图书馆学家论着被引总数排名 |
| 3.3 第三代图书馆学家论着被引情况 |
| 3.3.1 彭斐章论着的被引情况 |
| 3.3.2 佟曾功论着的被引情况 |
| 3.3.3 鲍振西论着的被引情况 |
| 3.3.4 赵世良论着的被引情况 |
| 3.3.5 郑莉莉论着的被引情况 |
| 3.3.6 赵琦论着的被引情况 |
| 3.3.7 孙云畴论着的被引情况 |
| 3.3.8 陈誉论着的被引情况 |
| 3.3.9 周文骏论着的被引情况 |
| 3.3.10 朱天俊论着的被引情况 |
| 3.3.11 张琪玉论着的被引情况 |
| 3.3.12 黄宗忠论着的被引情况 |
| 3.3.13 谢灼华论着的被引情况 |
| 3.3.14 白国应论着的被引情况 |
| 3.3.15 陈光祚论着的被引情况 |
| 3.3.16 倪波论着的被引情况 |
| 3.3.17 金恩晖论着的被引情况 |
| 3.3.18 吴慰慈论着的被引情况 |
| 3.3.19 肖自力论着的被引情况 |
| 3.3.20 谭祥金论着的被引情况 |
| 3.3.21 杜克论着的被引情况 |
| 3.3.22 黄俊贵论着的被引情况 |
| 3.3.23 辛希孟论着的被引情况 |
| 3.3.24 沈迪飞论着的被引情况 |
| 3.3.25 张德芳论着的被引情况 |
| 3.3.26 钟守真论着的被引情况 |
| 3.3.27 侯汉清论着的被引情况 |
| 3.3.28 徐引篪论着的被引情况 |
| 3.3.29 左恭论着的被引情况 |
| 3.3.30 胡耀辉论着的被引情况 |
| 3.3.31 丁志刚论着的被引情况 |
| 3.3.32 杨威理论着的被引情况 |
| 3.3.33 阎立中论着的被引情况 |
| 3.3.34 孟广均论着的被引情况 |
| 3.3.35 黄长着论着的被引情况 |
| 3.3.36 刘湘生论着的被引情况 |
| 3.3.37 第三代图书馆学家着作被引数排名 |
| 3.3.38 第三代图书馆学家论文被引数排名 |
| 3.3.39 第三代图书馆学家论着被引总数排名 |
| 本章小结 |
| 4 总结 |
| 4.1 三代图书馆学家思想的异同点 |
| 4.2 三代图书馆学家对后人的启示 |
| 本章小结 |
| 结语 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 |
四、半导体技术的回顾与展望（论文参考文献）
- [1]基于二维材料范德华异质结构的新型热载流子器件的研究[D]. 李泠霏. 浙江大学, 2021(01)
- [2]战后科技革命推动日本产业升级研究 ——基于创新体系的视角[D]. 刘伟岩. 吉林大学, 2020(03)
- [3]基于绿色供应链管理的DDPO公司供应商管理研究[D]. 钱晓玲. 上海外国语大学, 2020(02)
- [4]Pipelined SAR模数转换关键技术研究[D]. 罗建. 电子科技大学, 2019(04)
- [5]中国物理学院士群体计量研究[D]. 刘欣. 山西大学, 2019(01)
- [6]半导体薄膜材料电活性缺陷的谱学研究[D]. 王冲. 电子科技大学, 2019(01)
- [7]科技创业项目的客户价值主张创新研究 ——待办任务理论视角[D]. 林文璟. 东南大学, 2019(06)
- [8]产业链合作视角下陕西半导体产业集群协同创新研究[D]. 王志华. 西安电子科技大学, 2018(02)
- [9]中国三代图书馆学家论着及其被引研究[D]. 付天松. 黑龙江大学, 2013(S1)
- [10]现代科学的奇迹——半导体技术[J]. 周如培,李恩玲,冯同鑫. 微电子学, 2001(02)