一、电源管理半导体器件：销售额超过158亿美元（论文文献综述）
赵聃[1]（2021）在《电子传输与注入的调控对有机半导体器件性能的影响》文中研究指明随着物联网、区块链、人工智能、6G时代的到来,具有体薄量轻、功耗低、可柔性化等优势的有机半导体器件对于新型显示、光电探测和传感技术等领域的发展起着越来越重要的作用。迄今为止,以有机发光二极管（Organic light-emitting diode,OLED）、有机光电探测器（Organic photodetector,OPD）和有机薄膜晶体管（Organic thin-film transistor,OTFT）为代表的有机半导体器件,是近二十多年来的研究热点。众所周知,在器件结构内部,相较于空穴传输与注入能力,电子传输与注入能力与之不匹配一直是有机半导体器件的瓶颈性问题。这导致了器件内部载流子的不平衡,从而制约了器件性能的提升。由于不同种类有机半导体器件其器件结构、工作原理和参数指标都不相同,需要结合材料设计合成、器件结构构建、界面修饰工程、载流子调控等手段提出解决电子传输与注入问题的针对性方案。因此,本论文针对载流子调控方面的问题,通过调控电子的传输与注入改善了有机半导体器件的性能,从材料能级、微观形貌和光场分布等方面揭示了调控机理,具体研究内容如下:一、异质结电子传输层对OLED器件性能的影响在OLED中引入由酞菁铜（Copper（Ⅱ）phthalocyanine,CuPc）和富勒烯(C60)组成的异质结电子传输层,通过对C60/CuPc厚度优化,确保了电子传输层的光提取效率及电子传输效率,优化后器件的电流效率和功率效率相比对照组分别提升了52%和84%。通过比较C60/CuPc、CuPc和CuPc/C60三种传输层对红光OLED器件性能的影响,揭示了C60/CuPc异质结的电荷生成能力对电子传输与注入的促进作用,从而降低了器件的驱动电压并提升了器件性能。与此同时,研究了C60/CuPc电子传输层对红光、绿光和蓝光OLED器件性能的提升程度,结果表明,红光器件的功率效率的提升远大于绿光和蓝光OLED,这是由于红光光谱与CuPc的吸收光谱具有更好的光谱重合度,使得C60/CuPc在红光照射下发生能带弯曲,进一步提高了电子传输层的电子传输与注入和电荷生成能力。二、连接层的电子注入调控对白光叠层OLED发光色稳定性的影响以C60/CuPc异质结为连接层,制备了由红色发光和蓝色发光单元组成的白光叠层OLED器件。利用C60向蓝光发光单元注入电子的能力弱于CuPc向红光发光单元注入空穴的能力,得到最大电流效率20.4 cd/A,发光颜色可以随着电压升高逐渐从红光转变为白光的可变色OLED器件。并且,通过对调红光和蓝光发光单元的位置,制备了改变驱动电压而色坐标保持在（0.31,0.27）的白光OLED器件。另外,本工作还结合中间连接层与两侧发光单元电荷传输材料之间的能级差异、发光层中主客体的三线态激子利用率、光学仿真模拟光提取的情况,建立了这三种影响因素协同作用的理论模型,并阐述了电子传输与注入对器件色稳定性的调控原理,为可变色、白光两种OLED器件的制备提供了新途径。三、共轭聚合物修饰电子传输层对有机光电探测器性能的影响针对以往抑制OPD器件暗电流密度的同时,存在光电流密度随之下降并导致探测性能降低的情况,本工作采用共轭聚合物poly[（9,9-bis（30-（N,N-dimethylamion）propyl）2,7-fluorene）-alt-2,7-（9,9-dioctyl）fluorene]（PFN）修饰电子传输层氧化锌（ZnO）,制备了器件面积为1 cm2的OPD器件。通过界面形貌和能级表征发现,由于PFN不仅可以降低ZnO和有机电子传输材料之间的能级势垒,还抑制了ZnO的漏电流,优化后的器件暗电流降低了两个数量级的同时光电流基本保持不变,从而使光电探测率提升了10倍。同时,由于能级修饰对电子注入能力的提升,当施加正向电压时,该器件表现出更好的电致发光效率,修饰后器件亮度提升了4.5倍,这表明聚合物修饰电子传输层的方法对制备探测-发光双功能器件同样适用。四、聚合物晶界塑化剂对柔性OTFT电子传输性能的影响设计合成缺电子小分子末端功能化修饰的聚合物材料作为晶界塑化剂,对高结晶性小分子薄膜的晶界进行了塑化,制备出兼具高电子迁移率和柔性可弯曲的N型OTFT器件。通过原子力显微镜（AFM）、透射扫描电镜（TEM）以及掠入式广角X射线散射（GIWAXS）对半导体材料的表面形貌、元素分布和薄膜结晶情况进行了表征,研究了晶界塑化剂对有机半导体电子传输性能的影响。结果表明,得益于新型晶界塑化剂末端修饰的锚定作用以及聚合物主链的能级优化,使其在结晶过程中嵌入小分子的晶界处,不仅提高了在晶界处的电子传输能力,而且在弯折过程中起到应力释放的作用。制备的柔性OTFT其电子迁移率可与传统OTFT相媲美,且在弯折半径4 mm和弯折500次的情况下,迁移率依然保留了初始性能的70%,体现了晶界塑化剂对改善电子传输能力和抗弯折的优势。综上所述,本论文围绕有机半导体器件中电子传输与注入的调控,从材料的界面能级、表面形貌和光学特性等方面研究了其对OLED、OPD、OTFT三种有机半导体器件性能的影响;同时,结合理论模型阐述了器件内部的调控机理,研制了高性能的器件。本工作为制备集成化、多功能化、柔性化的有机半导体器件,以及设计合成新型电子传输、注入材料具有重要的参考价值和指导意义。
孙超[2]（2020）在《M公司青岛分公司微控制器市场营销战略与策略研究》文中研究指明自半导体产品发明以来,半导体集成电路已经作为设计的核心器件在消费电子、计算机、通讯产品、汽车电子等众多产品中广泛使用,其产业规模巨大,已成为支撑国民经济的战略性行业。近年来,半导体市场正在发生巨大的变化。全球半导体市场的行业加速整合以及中国国产半导体企业的迅速发展使得半导体市场的竞争日趋激烈;与此同时,技术进步也正在推动新的企业、行业、应用市场涌现、发展,中国半导体市场出现了危机与机遇并存的复杂局面。如何应对新的市场形势以及客户需求,科学规划半导体公司的市场营销策略,扩大市场份额,并实现与终端电子客户的战略互赢,成为每个半导体厂商必须面对的问题。以提出问题、分析问题、解决问题的总体思路,在M公司青岛分公司运营情况分析以及微控制器产品的市场营销分析的基础上,提出了目前M公司青岛分公司微控制器产品市场营销的主要问题。之后,使用PEST模型分析了 M公司青岛分公司微控制器产品市场营销的宏观营销环境,利用波特五力模型分析了 M公司微控制器产品所面临的行业竞争,并使用SWOT模型对M公司微控制器产品进行了分析。然后,基于STP模型分析,提出加大发展工业、汽车电子、物联网细分市场的发展战略;基于4Ps和4Cs理论,提出了营销组合策略。其中,根据半导体市场的发展情况以及客户的特殊需求,着重将4Cs理论中的顾客需求归纳为三大要素:降低成本、增加销售额、控制风险;进而提出“完整客户解决方案”的市场营销策略以及其两大组成要素:半导体设计的系统解决方案以及业务解决方案。最后,基于发展策略,提出了在组织结构、信息技术、考核激励等方面的实施保障措施。
王昊[3]（2020）在《高性能相变材料与新型阈值选通材料研究》文中提出随着大数据、云计算、人工智能以及第五代移动通讯网络的飞速发展,智能互联时代已然到来。在当前冯诺伊曼架构中,数据存储采用高速缓存（SRAM/eDRAM）、内存（DRAM）和外存（Flash/HDD）三级分布。这种分级式架构是由于当前存储技术中高速读写和大容量存储无法同时满足,每一级相对于下级都具有较快的速度和较低的延迟性。为了突破传统的三级存储架构,2008年IBM公司提出了存储级内存的概念（Storage Class Memory,SCM）,期望宽领域填补内存和外存之间的性能鸿沟并构架新的存储体系。基于硫系化合物材料非晶态与晶态间的可逆转变特性存储逻辑数据,相变存储器（Phase Change Random Access Memory,PCRAM）被广泛认为是最具潜力应用于存储级内存的下一代存储技术之一。传统相变材料具有纳秒级可逆操作速度和极高的可拓展性等优势,但具有热稳定性低和高功耗等缺点。在器件尺寸进一步减小的条件下,传统选通单元出现串扰漏电等问题不适用于高拓展性相变存储器单元。本论文主要针对以上几点,开发高数据保持力、高速、低功耗相变材料与器件以及高性能新型阈值选通材料。主要成果包括:1.GeSbSeTe高数据保持力相变材料研究。针对传统相变材料Ge-Sb-Te体系热稳定性较差的缺点,通过掺杂Se与调节Ge原子的含量构成Ge-Sb-Se-Te四元体系,该体系结晶温度高达300oC,十年数据保持力最高达到212oC。Se的掺杂改变了Ge-Sb-Te体系的结晶过程,通过不同退火温度XRD测试,观察到GeSbSeTe材料发生从非晶结构（Amorphous Structure）到六方结构（Hex Structure）的直接转变。晶粒得到显着细化,小尺寸的晶粒有利于减小相变前后体积变化率,增强器件单元循环操作稳定性。2.Hf-Sb2Te3高性能相变存储材料研究。以开发高速、低功耗的高性能相变存储材料为目标,对过渡金属元素Hf对传统二元相变材料的掺杂展开研究。Hf的掺入提升了基体材料Sb2Te3的非晶态稳定性,其结晶温度至266.4oC,十年数据保持力提高至160.0oC。经XRR测试,Hf0.06（Sb2Te3）0.94材料结晶前后的厚度变化率（体积变化率）的拟合值为4.3%,较纯Sb2Te3的8.1%具有显着降低,较小的体积变化率有利于器件单元在循环操作中保持结构均一稳定,并提高器件疲劳寿命。基于Hf-Sb2Te3较好的薄膜特性,制备了“T”型结构的存储器件单元进行电学性能测试。结果表明,Hf-Sb2Te3器件单元拥有较快的操作速度（6 ns下进行可逆的SET和RESET操作）以及稳定的相变切换能力（循环操作次数大于1.8×104）,有望成为高速,低功耗和高稳定性的相变材料候选之一。3.GeAsSeTe高性能阈值选通材料研究。基于相变存储器对于高驱动电流、低漏电流、高操作速度以及稳定性好等要求,开发出GeAsSeTe高性能阈值选通材料。通过激光拉曼测试,发现沉积态GeAsSeTe薄膜表现为非晶玻璃网络结构,其主要包括:GeSe4/2四面体、AsSe3/2金字塔结构以及起到连接作用的少量Se-Se同极键。采用紫外/可见光/近红外分光度计的光学透射率实验的方法对GeAsSeTe薄膜的光学带隙进行了测试,测试结果表明GeAsSeTe薄膜的光学带隙约为1.21eV,并且通过调节Ge原子百分比可以对GeAsSeTe薄膜的带隙值进行调控。将150 nm GeAsSeTe材料薄膜可以在450oC高温下退火30 min,XRD测试结果未出现新的结晶相,这表明该材料组分具有相当的热稳定性,能够抵御半导体加工工艺中的热处理过程而不致使材料失效。在直径为190 nm W底电极上制备出典型的“T”形结构器件用于电学性能测试。GeAsSeTe合金具有典型的阈值转变特性,呈现“S”型曲线的电流电压特性曲驱动电流高达10 mA,电流密度约为11.2MA/cm2(10 mA/（π×95 nm）2,选择比可达约7个数量级,为相变存储器件单元提供足够大驱动电流。此外,循环操作次数可高达107且在失效前保持相对稳定,表明GeAsSeTe有望成为适用于相变存储器的高性能选通开关。
赵东华[4]（2019）在《国内半导体产业的发展研究》文中研究指明曾经“半导体”一词对非从业者而言显得十分陌生,而随着“中兴事件”的爆发,“集成电路”、“芯片”、“半导体”等关键词不断进入人们的视野。所谓“中兴事件”是指美国商务部于2018年4月16日宣布:未来7年内,美国公司不再向中兴通讯出售任何技术和设备。由于技术落后,在中高端芯片领域,我国极度依赖美国进口,很难找到可以替代的方案,如果此禁令被执行,中兴通讯的业务及发展在未来几年内将遭受重大打击。正是这一纸禁令使得半导体行业成为大众关注的焦点。半导体涵盖了一个庞大的知识体系,其中涉及物理、化学、材料等多学科知识,又涉及制备、刻蚀、封装等专业技术。总之,半导体是一个知识密集、技术密集、人才密集、资金密集型的综合型行业。整个半导体行业大致可划分为三个部分,分别是:由半导体材料构成的上游部分;由光电子、分立器件、传感器、集成电路组成的中游部分;最后,由终端电子产品组成了半导体行业的下游部分。本文首先在科技革命的大背景下简述半导体行业的发展历史以及在科技发展中的重要作用。其次从国内政策、经济、技术等方面阐述我国半导体行业发展的环境。再次围绕半导体行业的核心基础部分材料进行论述,重点详细介绍了以硅、锗为代表的第一代半导体材料,以砷化镓和磷化铟为代表的第二代半导体材料,以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体材料的基本特点、性能及应用,研究其制备技术的发展等等。然后,分别对国外、国内半导体产业发展现状进行论述,分析了国外半导体发展的概况、在三代半导体材料方面的进展以及发展策略;对比了国内三代半导体材料的研究进展,总结了国内半导体产业发展的问题。最后,结合国外的发展经验、策略,针对国内出现的问题给出了相关建议。希望通过本文论述,可以使非从业者对半导体行业有个清晰的了解和认识;引入的相关行业数据,可以为从业者提供参考。
赵婉雨[5]（2019）在《聚焦产业关键技术,把握第三代半导体发展机遇——第三代半导体材料产业技术分析报告》文中进行了进一步梳理5G通信技术、新能源汽车推广以及光电应用推动第三代半导体产业蓬勃发展。2017年,中国GaN和SiC器件市场规模达30.8亿元。目前,在应用结构方面,GaN基LED占比高达70.0%,射频通信和功率器件领域合计占比不足30%;SiC器件市场上,功率因数校正电路占比超过50%,光伏逆变器占比约为23.8%,其他应用包括不间断电源、纯电动汽车/混合动力汽车及轨道交通等。2017年国内投资热情高涨,投产GaN材料和SiC材料相关的项目共6个,涉及金额超过84亿元,占当年总投资金额的12%。
徐长江[6]（2019）在《H公司品牌融合管理对运营效益的影响研究》文中进行了进一步梳理近年来,半导体产业增长乏力,半导体企业并购频繁;而作为半导体产业链的下游企业------半导体代理商,行业竞争日趋激烈,如何提高企业的运营效益,是行业内普遍关注的话题;按照传统的方法------销售策略、渠道管理、供应链优化、客户关系管理等,在新的形势下,效果并不明显;本文的研究目的,即基于当前的发展特征和未来的发展趋势,探索切实可行的新方法,来进一步提高企业的运营效益。本文通过文献回顾,聚焦到“品牌延伸”和“产品组合”这两个关键点上,发现品牌融合管理有利于企业的运营效益;而通过产业分析------包括宏观环境分析和行业环境分析,发现品牌分散管理不利于企业的运营效益。因此,通过文献回顾和产业分析,本文提出了品牌融合管理的涌现理论。以市场营销理论为出发点,结合4P理论、4C理论和4R理论的异同,总结出产品利润、服务支持、运营成本、资金效率和企业的运营效益正相关;而本文的案例,选择行业靠前的半导体代理企业------H公司,该案例具有典型性、企业数据完整且可获得,并且信息充沛,符合理论抽样的原则;在H公司实施品牌融合管理,论证其对产品利润、服务支持、运营成本、资金成本的影响机制;通过品牌融合管理的架构构建,确定了品牌融合管理可行性和普适性。从而得出结论:品牌融合管理有利于提高企业的运营效益。本文的创新点有如下三条:（1）品牌融合管理为企业的持续发展提供了新的思路,为传统产业的兴起注入了新的活力。（2）品牌融合管理在半导体的前沿领域取得了不俗的成果,意味着品牌融合管理在高端制造业等产业同样适用。（3）品牌融合管理的应用领域不局限于服务行业,而适合覆盖国民经济三大产业的众多行业。品牌融合管理,仅限于整合多个品牌的资源,提高企业的运营效率;更进一步来讲,多学科的交叉研究,社会形态差异大的国际合作等,也涉及到其它资源的整合,同样需要我们进行融合管理研究。
周金凯[7]（2019）在《产业视角下中美贸易失衡、结构性冲击与美国对华贸易政策》文中研究表明中美关系是当今世界最具影响力的双边关系之一,两国经贸关系更是双边关系的重中之重。中美贸易总额不断增长的同时,美国对华贸易逆差也在不断扩大。中美贸易发展和失衡问题并存,但贸易失衡问题更为敏感突出。特朗普执政后,尤其对此问题高度关注,并试图通过单边主义政策加以解决。中美对于贸易失衡问题的共识与分歧,在很大程度上影响着双方关系的未来走向。因此,深入研究中美贸易失衡与美国对华贸易政策具有很高的现实意义。贸易逆差是一个宏观经济的总量概念,但贸易竞争更多体现在产业层面,恰恰正是产业竞争对一国产业发展和就业状况产生直接影响。在中美贸易失衡问题上,当前学术研究和政策讨论的关注点多集中在贸易逆差这个总量概念上,以两国间产业竞争为视角的研究略显不足,特别是对产业层面上中美之间的竞争关系究竟如何、这种竞争对美国经济的影响究竟如何、以及美国单纯以贸易逆差的表象作为其对华贸易政策制定的依据,忽略产业竞争因素,是否是实现其政治意图的一种有意为之等等,这些事关两国切身利益的问题,缺乏深入的探讨和研究。因此,从产业视角研究中美贸易失衡对美国对华贸易政策制定的影响,不仅扩展了贸易失衡的理论研究,为中美重新审视对外贸易政策提供理论依据,同时也为我国构建全方位开放的贸易格局战略提供政策制定、评估和改进依据。本文从中美代表性产业贸易失衡的现状和原因入手进行分析。首先,本文参考美国产业就业率、选举政治、中美贸易逆差程度和美国贸易救济措施等因素选定代表性产业,包括纺织业、塑料和橡胶业、金属制造业、化工业、机械制造业、电器及电子设备制造业。接下来,文章对中美代表性产业贸易失衡的现状及原因进行分析。分析表明,美国对华代表性产业的贸易逆差不断增长是经济全球化的必然结果,其与中国全球代表性产业的贸易差额同步变化,二者的比重整体保持平稳,中美贸易逆差变化是相对的。究其原因,中美代表性产业贸易失衡主要是美方贸易统计数据高估、美国企业对华直接投资的贸易替代效应与贸易创造效应、中美产业国际竞争力的变化等因素共同作用的结果。为了深入分析中美贸易失衡与“产业冲击”的关系,本文分别利用贸易与就业、贸易与产出、贸易与工资的回归模型,通过贸易与利润关系的经验分析,研判中美贸易失衡是否对美国代表性产业构成结构性冲击。结果表明:中美贸易对美国代表性产业及其分类下的劳动密集型产业、资本密集型产业和技术密集型产业的就业、产出、工资和利润的影响具有产业差异性,以正向影响为主,并未对美国代表性产业构成结构性冲击。因此,一直以来,美国将中美贸易失衡与“产业冲击”相挂钩对华实施的一系列政策并非基于“产业严重受损”的事实。为了佐证实证分析结果,本文结合“232调查”的主要产品——钢铁和高新技术产品——苹果手机两个典型产业案例,详细剖析了中美高新技术产业贸易失衡的本质和中美钢铁贸易是否对美国钢铁产业构成竞争与冲击,增强了文章的说服力。本文通过中美与日美对比分析,以历史事实阐释美国将中美贸易失衡与“产业冲击”相挂钩是客观事实,还是有意为之。20世纪80年代,日美贸易摩擦全面升级时,美国以日美贸易失衡冲击其产业为由对日本进行贸易制裁,要求减少双方贸易差额。当前中国与日本面临的情形看似一样,但二者却有本质不同,包括:贸易摩擦全面升级时中美与日美的产业发展阶段不同,日美产业结构以竞争为主,中美产业结构以互补为主;中国对美国出口企业涉及美国在华投资公司,日本对美出口企业主要是日本本土企业;日美同属于资本主义国家,而中国是社会主义国家,受意识形态的影响,美国有意加强对华出口管制。结果表明:日美贸易失衡对美国主导产业构成实质性冲击,这与中美贸易失衡有着本质不同。因此,美国大肆宣扬中美贸易失衡对其构成“产业冲击”即存在夸大其词,又有意识形态的偏见。不论美国将中美贸易失衡与“产业冲击”相挂钩是夸大其词,还是有意为之,其目的都是为制定和实施对华贸易政策服务。在中美贸易失衡、产业冲击与美国对华贸易政策方面,美国产业界不仅鼓吹中美贸易失衡威胁国家产业安全,而且直接游说政府和国会,影响美国对华贸易政策。因此,本文以美国产业界（企业和产业利益集团）的态度为联结,基于中美贸易失衡与“产业冲击”的影响,分析了美国对华贸易政策的演变。本文通过对美国产业界的态度分析得出:一方面,在美国企业界中,传统“夕阳产业”企业,如钢铁业和纺织业,受经济全球化负面影响较重,是“中国产业冲击”言论的主要制造者。受益于经济全球化的美国跨国公司则很少关注中美贸易失衡问题;另一方面,在产业利益集团中,主要关注中美贸易失衡和“产业冲击”的是传统制造业的代表,如美国劳联-产联、美国钢铁工人联合会、美国全国制造商协会、美国全国纺织产业委员会等。受益于贸易自由化的利益集团,如美国商会、美国商业圆桌会议等则很少提及中美贸易失衡和“产业冲击”。基于美国产业界的态度,本文对美国对华贸易政策的演变进行了归纳总结,得出结论:中国入世以来,美国对华贸易政策经历了以“交往”为主向以“遏制”为主的转变。其中,小布什政府和奥巴马政府时期,美国主要奉行以“交往”为主的对华贸易政策,中美经贸关系得到迅速发展;特朗普政府时期,美国倾向奉行以“遏制”为主的对华贸易政策,中美经贸关系面临新的考验。这一转变与美国产业利益集团的态度变化密切相关,即长期以来,美国很难通过“贸易交往政策”全面迅速打开中国市场,将中国发展置于“美国规则”约束下。美国需要采取更为强硬的手段改变现有局面,以求在中美战略竞争中进一步遏制中国发展,维护美国的全球霸主地位。中美贸易失衡与“产业冲击”话题正好成为美国实现其对华战略目标的托辞。综合本文分析,在中美贸易失衡的背景下,美国以“产业冲击”为由,对华制定和实施的一系列贸易政策,并非真的构筑在产业严重受损的事实基础上。美国有意将中美贸易失衡与“产业冲击”相挂钩,一方面为迎合利益集团的诉求,以服务于国内选举政治;另一方面旨在借机大肆炒作该问题,将中美贸易问题政治化,最大限度遏制中国发展,维护美国的全球霸主地位。最后,本文针对研究结论,提出加快中国产业升级、多措并举应对中美贸易失衡和防止中美金融战等建议。
鲍业文[8]（2019）在《基于“中兴事件”的集成电路专利技术演变路径研究》文中认为2018年中美之间爆发贸易战,期间我国中兴通讯公司,被美商务部下达禁止美国相关企业向中兴进出口制造通信设备的集成电路核心部件,使得中兴通讯公司陷入“休克”状态被业界称为“中兴事件”该事件的发生也引发了国人对于我国产业发展受制于人的忧思。我国相关产业的技术薄弱环节在哪?以及如何促进相关技术的值得研究。本文在全面梳理了中兴事件的基础上,从专利分析的视角出发,利用中兴在美通信产业链主要合作伙伴的专利数据,以此构建专利分类号共现网络,运用网络共现分析、案例分析的方法,以中兴为案例,探寻我国通信产业发展的技术薄弱环节。通过分析了解到集成电路技术是我国通信产业发展的短板。进而通过利用对专利德温特手工代码分类号共现网络明确技术发展主要脉络,反映了1970年至2018年集成电路技术演变进行了研究特定领域内不同时期技术的演变路径。对集成电路技术演变的分析和总结,可以看出集成电路技术非常复杂,涉及的技术领域众多,但其发展受物理极限的影响已接近“瓶颈”,目前开始不断地向其他产业融合发展。我国应当抓住这一历史机遇加速集成电路技术的发展,包括夯实技术理论基础,重点关注集成电路设计和制造,优化产业链协同发展构建完整产业链、加强政策对资金和人才投入的引导、关注集成电路技术融合发展新动向引领新的发展潮流。
冯昭奎[9]（2018）在《信息技术发展趋势与半导体产业增长点》文中提出在当今以信息技术为核心的新一轮科技革命中,信息技术的核心地位进一步提升;信息技术的内涵进一步丰富（人工智能、大数据、云计算等）;信息技术本身的基础——半导体芯片技术的重要性进一步凸显。5G时代将在2020年代前半期到来,人工智能在激烈的市场竞争中加快走向实用化和商业化,物联网（Io T）将成为人们工作和生活的一部分。智能手机及其他移动通信设备,连接家庭、智能城市、个人可穿戴设备的物联网,消费类电子产品,产业物联网（IIo T）,汽车自动化,机器人/无人机,包括生物识别技术在内的安全应用领域,人工智能/认知/深度学习将成为信息技术发展的最重要的应用领域。而新科技成果的不断扩大应用,将有力地推动半导体及相关电子器件产业的发展与增长:5G手机芯片、汽车自动化芯片、物联网相关芯片、高速高效化合物半导体器件、半导体传感器等将成为今后数年半导体产业的新增长点。
陈源[10]（2017）在《E半导体公司的竞争战略研究》文中研究说明半导体行业是一个技术密集型和资金密集型的成熟产业,年产值超过3000亿美金,行业内竞争异常激烈且近年来增长缓慢。中国市场目前是半导体的消费重镇,占据了超过50%的份额,发展迅猛,前景广阔,然而国内半导体厂商规模小、技术水平低,难以满足市场的需求,因此国家近年来大力推动行业本土化。E半导体公司是一家位于珠江三角洲的外资半导体封装测试厂家,母公司X集团,该X集团目前由中国财团控制。本文将以E半导体公司为例,运用管理学,企业战略管理的知识和理论,运用PEST,波特五力模型,SWOT等工具进行分析外部环境和内部环境,发掘E公司的核心竞争力,提出了E半导体公司需要坚持差异化的基本竞争战略。E半导体公司需要调整产品结构满足对封装产品的微型化、低能耗和高质量的需求趋势;同时需要提升对本土客户服务和中国市场支持力度;进行技术创新和提供全面领先解决方案策略;维持和持续改善一贯的对标汽车行业的高产品质量;提升运营效率,扩大生产规模,控制成本赢得市场和客户的青睐;从而在激烈的竞争中脱颖而出。为了确保实施,需要制定领导统筹负责的原则,兼顾灵活性和适度性,并分步骤设立目标。对组织结构进行调整,强化人力资源管理和调整推动企业文化的发展,对战略的实施提供了保障。通过对E半导体公司的竞争战略的研究,发掘处于发展成熟阶段的封装测试企业,在环境发生变化的前提下,如何重新定位,确定企业在演变的内外环境下的差异化竞争战略,从而为类似的制造型企业的竞争战略制定提供有益的借鉴。
二、电源管理半导体器件：销售额超过158亿美元（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、电源管理半导体器件：销售额超过158亿美元（论文提纲范文）
（1）电子传输与注入的调控对有机半导体器件性能的影响（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 有机半导体材料和器件概述 |
| 1.2 有机半导体材料的基本原理与制备工艺 |
| 1.2.1 有机半导体材料的基本原理 |
| 1.2.2 有机半导体材料的制备工艺 |
| 1.3 有机半导体器件的基本原理 |
| 1.3.1 有机发光二极管 |
| 1.3.2 有机光电探测器件 |
| 1.3.3 有机薄膜晶体管器件 |
| 1.4 有机半导体器件及其电子传输与注入的研究进展 |
| 1.4.1 有机发光二极管及其电子传输与注入的研究进展 |
| 1.4.2 有机光电探测器及其电子传输与提取的研究进展 |
| 1.4.3 有机薄膜晶体管及其电子传输的研究进展 |
| 1.5 本文的主要贡献与创新点 |
| 1.6 本文的主要内容和结构 |
| 第二章 异质结型电子传输层对OLED器件性能的影响 |
| 2.1 C_(60)/CuPc电子传输层对红光OLED性能的影响 |
| 2.1.1 实验部分 |
| 2.1.2 不同厚度的C_(60)/CuPc电子传输层对OLED性能影响 |
| 2.1.3 C_(60)/CuPc电子传输层的电荷生成和传输能力的研究 |
| 2.2 C_(60)/CuPc电子传输层对不同发光颜色器件性能的影响 |
| 2.2.1 C_(60)/CuPc电子传输层对绿和蓝光有机发光二极管的影响 |
| 2.2.2 C_(60)/CuPc电子传输层的电子传输与注入的调控机制 |
| 2.3 本章小结 |
| 第三章 电子注入的调控对白光叠层OLED发光色稳定性的影响 |
| 3.1 实验部分 |
| 3.1.1 叠层有机发光二极管器件的制备 |
| 3.1.2 性能测试及表征 |
| 3.1.3 光学建模与仿真计算 |
| 3.2 连接层的电子注入和电荷生成能力 |
| 3.3 光学仿真模型的建立与研究 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 共轭聚合物修饰电子传输层对光电探测器性能的影响 |
| 4.1 实验部分 |
| 4.1.1 实验所用材料 |
| 4.1.2 器件制备和表征测试 |
| 4.2 共轭聚合物对氧化锌电子传输层的影响 |
| 4.3 共轭聚合物修饰电子传输层对OPD器件性能的影响 |
| 4.4 共轭聚合物修饰电子传输层对发光性能的影响 |
| 4.5 光学模型仿真结果 |
| 4.6 本章小结 |
| 第五章 晶界塑化剂对柔性薄膜晶体管电子传输性能的影响 |
| 5.1 实验部分 |
| 5.2 晶界塑化剂掺杂对有机薄膜晶体管电子迁移性能的影响 |
| 5.3 晶界塑化剂掺杂对半导电体薄膜弯折性能的影响 |
| 5.4 晶界塑化剂掺杂制备柔性有机薄膜晶体管的研究 |
| 5.5 本章小结 |
| 第六章 结论与展望 |
| 6.1 本论文工作总结 |
| 6.2 后续工作及展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 |
（2）M公司青岛分公司微控制器市场营销战略与策略研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 研究的背景与意义 |
| 1.2 研究思路和研究内容 |
| 1.3 研究创新点 |
| 第2章 相关理论与文献综述 |
| 2.1 市场营销的基础理论 |
| 2.2 市场营销的分析工具 |
| 2.3 半导体产品营销的相关研究 |
| 第3章 M公司青岛分公司微控制器营销现状分析 |
| 3.1 M公司及其微控制器产品概况 |
| 3.1.1 M公司概况 |
| 3.1.2 M公司微控制器概况 |
| 3.2 M公司青岛分公司微控制器营销现状分析 |
| 3.2.1 M公司青岛分公司概况 |
| 3.2.2 M公司青岛分公司客户分析 |
| 3.2.3 M公司青岛分公司微控制器市场营销分析 |
| 3.3 M公司青岛分公司微控制器主要营销问题 |
| 第4章 M公司青岛分公司微控制器营销环境分析 |
| 4.1 微控制器市场营销宏观环境分析 |
| 4.1.1 政治环境 |
| 4.1.2 经济环境 |
| 4.1.3 社会环境 |
| 4.1.4 技术环境 |
| 4.2 微控制器市场营销微观环境分析 |
| 4.2.1 微控制器行业特征分析 |
| 4.2.2 微控制器行业新进入者分析 |
| 4.2.3 微控制器行业买方议价能力 |
| 4.2.4 微控制器行业现有竞争者竞争 |
| 4.2.5 微控制器行业供方议价能力 |
| 4.2.6 微控制器行业替代产品威胁 |
| 4.3 M公司微控制器SWOT分析 |
| 4.3.1 潜在机会分析 |
| 4.3.2 潜在威胁分析 |
| 4.3.3 优势分析 |
| 4.3.4 劣势分析 |
| 第5章 M公司青岛分公司营销战略与策略选择 |
| 5.1 目标市场战略 |
| 5.1.1 市场细分 |
| 5.1.2 目标市场选择 |
| 5.1.3 产品市场定位 |
| 5.2 市场营销组合策略 |
| 5.2.1 客户需求策略 |
| 5.2.2 成本营销策略 |
| 5.2.3 便利营销策略 |
| 5.2.4 沟通营销策略 |
| 第6章 M公司青岛分公司市场营销策略的实施保障 |
| 6.1 组织结构保障 |
| 6.1.1 加强前端销售团队建设 |
| 6.1.2 加强中国地区的产品部团队组建 |
| 6.1.3 成立公共关系部门 |
| 6.1.4 在中国地区设立芯片设计部门 |
| 6.2 信息技术保障 |
| 6.3 考核激励保障 |
| 第7章 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 |
（3）高性能相变材料与新型阈值选通材料研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 新型存储技术概要 |
| 1.3 相变存储器简介 |
| 1.4 相变存储器发展进程 |
| 1.5 传统硅基选通器介绍 |
| 1.6 OTS阈值选通开关简介 |
| 1.7 OTS选通器发展进程 |
| 1.8 本论文的选题意义及主要研究内容 |
| 1.9 参考文献 |
| 第2章 实验方法 |
| 2.1 硫系材料的制备、加工与表征方法 |
| 2.1.1 硫系薄膜材料的制备 |
| 2.1.2 硫系薄膜材料加工方法 |
| 2.1.3 硫系薄膜材料的表征方法 |
| 2.2 基于硫系材料的器件制备工艺与性能表征 |
| 2.2.1 器件制备工艺 |
| 2.2.2 器件性能表征 |
| 第3章 Ge-Sb-Se-Te高数据保持力相变材料开发与研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 研究目的 |
| 3.3 材料电学性能表征 |
| 3.4 微观结构表征 |
| 3.5 材料耐高温性能测试 |
| 3.6 器件性能研究 |
| 3.7 本章小结 |
| 3.8 参考文献 |
| 第4章 高性能Hf-Sb_2Te_3相变存储材料研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 研究目的 |
| 4.3 薄膜电学性能表征 |
| 4.4 Hf-Sb_2Te_3薄膜结晶前后的密度变化 |
| 4.5 Hf-Sb_2Te_3薄膜微观结构分析 |
| 4.6 基于Hf-Sb_2Te_3器件单元电学性能表征 |
| 4.7 本章小结 |
| 4.8 参考文献 |
| 第5章 GeAeSeTe高性能阈值选通材料研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 研究目的 |
| 5.3 薄膜结晶行为研究 |
| 5.4 璃网络结构研究 |
| 5.5 硫系薄膜光学特性 |
| 5.6 材料热稳定性表征 |
| 5.7 器件电学性能研究 |
| 5.8 本章小结 |
| 5.9 参考文献 |
| 第6章 全文总结与展望 |
| 6.1 全文总结 |
| 6.2 展望 |
| 攻读学位期间取得的研究成果 |
| 致谢 |
（4）国内半导体产业的发展研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 课题背景及意义 |
| 1.2 半导体概述 |
| 1.2.1 半导体概念及导电原理 |
| 1.2.2 半导体材料的特性 |
| 1.2.3 半导体材料产业划分 |
| 1.3 本课题的研究目的 |
| 第2章 半导体行业发展环境分析 |
| 2.1 政策环境分析 |
| 2.2 经济环境分析 |
| 2.3 技术环境分析 |
| 2.3.1 工业4.0推动半导体产业 |
| 2.3.2 第三代半导体材料进入快速发展阶段 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 半导体材料的发展分析 |
| 3.1 第一代半导体材料 |
| 3.1.1 第一代半导体材料的特性及应用 |
| 3.1.2 第一代导体材料的制备技术 |
| 3.2 第二代半导体材料 |
| 3.2.1 第二代半导体材料的特性及应用 |
| 3.2.2 第二代半导体材料的制备技术 |
| 3.3 第三代半导体材料 |
| 3.3.1 第三代半导体材料的特性及应用 |
| 3.3.2 第三代半导体材料的制备技术 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 国外半导体产业的发展现状分析 |
| 4.1 国外半导体产业的发展概况 |
| 4.1.1 美国 |
| 4.1.2 日本 |
| 4.1.3 欧洲各国 |
| 4.2 各代半导体材料产业的发展现状 |
| 4.2.1 第一代半导体材料 |
| 4.2.2 第二代半导体材料 |
| 4.2.3 第三代半导体材料 |
| 4.3 国外半导体产业的发展策略 |
| 4.3.1 美国 |
| 4.3.2 日本 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 国内半导体产业的发展现状分析 |
| 5.1 我国半导体产业的发展概况 |
| 5.2 各代半导体材料产业的发展现状 |
| 5.2.1 第一代半导体材料 |
| 5.2.2 第二代半导体材料 |
| 5.2.3 第三代半导体材料 |
| 5.3 我国半导体产业发展中存在的问题 |
| 5.4 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
（5）聚焦产业关键技术,把握第三代半导体发展机遇——第三代半导体材料产业技术分析报告（论文提纲范文）
| 多项因素推动第三代半导体材料产业发展 |
| 第三代半导体市场持续加温 |
| 技术发展步入快车道, 核心技术尚需尽快突破 |
（6）H公司品牌融合管理对运营效益的影响研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 1 引言 |
| 1.1 选题背景与研究问题 |
| 1.1.1 选题背景 |
| 1.1.2 研究问题 |
| 1.2 本文视角与研究思路 |
| 1.2.1 本文视角 |
| 1.2.2 研究思路 |
| 1.3 分析框架与研究方法 |
| 1.3.1 分析框架 |
| 1.3.2 研究方法 |
| 1.4 研究设计和研究价值 |
| 1.4.1 研究设计 |
| 1.4.2 研究价值 |
| 1.5 结构安排 |
| 2 文献回顾 |
| 2.1 关于“品牌延伸”的文献回顾 |
| 2.2 关于“产品组合”的文献回顾 |
| 2.3 概括性评论 |
| 3 产业分析与市场分析 |
| 3.1 产业分析 |
| 3.1.1 宏观环境分析 |
| 3.1.2 行业环境分析 |
| 3.1.3 产业分析评论 |
| 3.2 市场分析 |
| 3.2.1 市场营销理论 |
| 3.2.2 市场营销要素分析 |
| 3.2.3 分析小结 |
| 4 案例分析与讨论 |
| 4.1 案例分析的整体框架 |
| 4.2 品牌融合管理对产品利润的影响机制 |
| 4.2.1 绑定销售 |
| 4.2.2 整体设计 |
| 4.2.3 议价能力 |
| 4.3 品牌融合管理对服务支持的影响机制 |
| 4.3.1 开发周期 |
| 4.3.2 权责界定 |
| 4.3.3 角色转变 |
| 4.4 品牌融合管理对运营成本的影响机制 |
| 4.4.1 物流成本 |
| 4.4.2 仓储利用 |
| 4.5 品牌融合管理对资金效率的影响机制 |
| 4.5.1 货款回笼 |
| 4.5.2 库存周转 |
| 4.6 案例讨论 |
| 4.6.1 品牌融合管理的效用 |
| 4.6.2 品牌融合管理的普适性 |
| 5 品牌融合管理的架构构建 |
| 5.1 如何在企业中实施品牌融合管理 |
| 5.2 实施品牌融合管理的注意事项 |
| 6 研究结论和实践启示 |
| 6.1 案例总结和分析结论 |
| 6.1.1 案例总结 |
| 6.1.2 分析结论 |
| 6.2 主要创新点和实践启示 |
| 6.2.1 主要创新点 |
| 6.2.2 实践启示 |
| 6.3 不足之处 |
| 参考文献 |
| 附录A |
| 作者简历 |
| 学位论文数据集 |
（7）产业视角下中美贸易失衡、结构性冲击与美国对华贸易政策（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| abstract |
| 第1章 导论 |
| 1.1 选题背景 |
| 1.2 研究意义 |
| 1.2.1 理论意义 |
| 1.2.2 实践意义 |
| 1.3 文献综述 |
| 1.3.1 中美贸易失衡成因的研究 |
| 1.3.2 美国对华贸易政策制定的依据 |
| 1.3.3 贸易失衡、产业冲击与对华贸易政策制定的研究 |
| 1.3.4 现有文献述评 |
| 1.4 研究内容与研究思路 |
| 1.4.1 研究内容 |
| 1.4.2 研究技术路线图 |
| 1.5 研究方法、数据资料的取得及论文可行性 |
| 1.5.1 研究方法 |
| 1.5.2 数据资料的取得及论文可行性 |
| 1.6 拟创新点 |
| 第2章 中美代表性产业贸易失衡的现状及原因分析 |
| 2.1 中美代表性产业的选取 |
| 2.1.1 中美贸易失衡主要来自制造业 |
| 2.1.2 中美代表性产业的选取依据 |
| 2.2 中美代表性产业贸易失衡的现状 |
| 2.2.1 中美代表性产业贸易差额整体呈上升态势 |
| 2.2.2 中美产业贸易差额占中国全球同类贸易差额的比重保持平稳 |
| 2.3 中美代表性产业贸易失衡的原因分析 |
| 2.3.1 美方统计口径对中美贸易失衡程度存在严重高估 |
| 2.3.2 美国对华直接投资加剧了中美代表性产业贸易失衡 |
| 2.3.3 中国产业国际竞争力逐步上升,美国逐步下降 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 中美贸易失衡对美国代表性产业结构性冲击的分析 |
| 3.1 中美贸易失衡对美国代表性产业产出的影响 |
| 3.1.1 美国代表性产业产出的现状 |
| 3.1.2 贸易与产出模型 |
| 3.1.3 实证分析 |
| 3.2 中美贸易失衡对美国代表性产业利润的影响 |
| 3.2.1 中美代表性产业贸易失衡的变化分析 |
| 3.2.2 美国代表性产业利润的变化分析 |
| 3.2.3 中美代表性产业贸易失衡与产出利润的关系 |
| 3.3 中美贸易失衡对美国代表性产业就业的影响 |
| 3.3.1 美国代表性产业就业的现状 |
| 3.3.2 贸易与就业模型 |
| 3.3.3 实证分析 |
| 3.4 中美贸易失衡对美国代表性产业工资的影响 |
| 3.4.1 美国代表性产业工资的现状 |
| 3.4.2 贸易与工资模型 |
| 3.4.3 实证分析 |
| 3.5 中美贸易中的典型产业案例分析 |
| 3.5.1 中美钢铁贸易与产业竞争 |
| 3.5.2 iPhone手机全球价值链与中美贸易失衡 |
| 3.6 本章小结 |
| 第4章 产业冲击视角下中美贸易失衡与日美贸易失衡的对比分析 |
| 4.1 日美贸易摩擦的简要回顾 |
| 4.2 日美汽车产业贸易失衡与产业竞争 |
| 4.2.1 日美汽车贸易差额是双方贸易失衡的主要来源 |
| 4.2.2 日美汽车产业贸易以直接竞争为主 |
| 4.2.3 日美汽车产业竞争与“自愿出口限制” |
| 4.3 日美半导体产业贸易失衡与产业竞争 |
| 4.3.1 日美半导体产品的国际市场竞争激烈 |
| 4.3.2 日美半导体协定与美国竞争力的恢复 |
| 4.4 中美贸易失衡的本质异于日美贸易失衡 |
| 4.4.1 贸易摩擦全面升级时中日所处的产业发展阶段不同 |
| 4.4.2 中日对美国直接投资的开放程度不同 |
| 4.4.3 贸易失衡对美国产业就业的影响程度不同 |
| 4.4.4 美国对于中日产品的需求程度不同 |
| 4.4.5 美国对中日的出口管制程度不同 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 贸易失衡和产业冲击影响下的美国对华贸易政策演变 |
| 5.1 美国产业界对中美贸易失衡与“产业冲击”的态度 |
| 5.1.1 美国企业界对中美贸易失衡与“产业冲击”的态度 |
| 5.1.2 产业利益集团对中美贸易失衡与“产业冲击”的态度 |
| 5.2 美国产业界态度影响下的美国对华贸易政策演变 |
| 5.2.1 美国产业界影响对华贸易政策制定的主要路径 |
| 5.2.2 小布什政府时期的美国对华贸易政策 |
| 5.2.3 奥巴马政府时期的美国对华贸易政策 |
| 5.2.4 特朗普政府时期的美国对华贸易政策 |
| 5.3 本章小结 |
| 第6章 结论和政策建议 |
| 6.1 研究结论 |
| 6.1.1 中美贸易失衡是美国产业结构调整的结果 |
| 6.1.2 美国宣扬的“产业冲击”并非基于产业严重受损的事实 |
| 6.1.3 日美贸易失衡与“产业冲击”本质异于中美 |
| 6.1.4 贸易失衡与“产业冲击”是美国对华贸易政治的托辞 |
| 6.2 政策建议 |
| 6.2.1 做好产业升级和产业转移,提升在全球产业链中的地位 |
| 6.2.2 积极应对美国以贸易失衡和“产业冲击”为由制造的摩擦 |
| 6.2.3 做好应对美国金融战的准备 |
| 6.3 研究局限与进一步工作的方向 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 |
（8）基于“中兴事件”的集成电路专利技术演变路径研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 1 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 研究目的 |
| 1.3 研究意义 |
| 1.4 研究方法与路线 |
| 2 文献综述 |
| 2.1 中美贸易战背景下中兴事件 |
| 2.2 集成电路国内外研究现状 |
| 2.3 技术演变国内外研究现状 |
| 2.4 研究评述 |
| 3 中兴事件分析 |
| 3.1 中兴在美合作伙伴 |
| 3.2 专利数据提取与整合 |
| 3.3 国际专利分类号共现无向网络分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 4 集成电路技术演变分析 |
| 4.1 专利数据收集分组 |
| 4.2 德温特手工代码共现有向网络构建 |
| 4.3 德温特手工代码共现网络分析 |
| 5 促进我国集成电路技术发展的建议 |
| 5.1 集成电路技术演变总结 |
| 5.2 政策建议 |
| 6 结论与启示 |
| 6.1 结论 |
| 6.2 启示 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录 |
（9）信息技术发展趋势与半导体产业增长点（论文提纲范文）
| 新一轮科技革命的三个重大发展趋势 |
| (一) 5G时代将在2020年代前半期到来 |
| (二) 人工智能在激烈竞争中加快走向实用化和商业化 |
| (三) 物联网 (Io T) 将成为人们工作和生活的一部分 |
| 信息技术的八个重要应用领域 |
| (一) 智能手机及其他移动通信设备 |
| (二) 连接家庭、智能城市、个人可穿戴设备的物联网 |
| (三) 消费类电子产品 |
| (四) 产业物联网 (IIo T) |
| (五) 汽车自动化 |
| (六) 机器人/无人机 |
| (七) 包括生物识别技术的安全应用领域 |
| (八) 人工智能/认知/深度学习 |
| 新科技成果不断扩大应用对产业发展与增长的推动作用 |
| (一) 无线芯片 (wireless chips) |
| (二) 高速高效化合物半导体器件 |
| (三) 半导体传感器 |
| 1. 微电子机械系统 |
| 2. 汽车传感器 |
| 3. 影像传感器 |
| 4. 温度传感器 |
| 5. 可穿戴温度传感器 |
| 结语 |
（10）E半导体公司的竞争战略研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 选题的背景和研究意义 |
| 1.1.1 企业介绍和选题的背景 |
| 1.1.2 研究意义 |
| 1.2 文献综述 |
| 1.2.1 企业战略管理理论 |
| 1.2.2 企业基本竞争战略 |
| 1.2.3 企业战略管理分析方法与工具 |
| 1.2.4 产品生命周期理论 |
| 1.2.5 经验曲线理论 |
| 1.3 研究方法和内容 |
| 1.3.1 研究内容 |
| 1.3.2 研究方法 |
| 第二章 外部环境分析 |
| 2.1 宏观环境分析 |
| 2.1.1 政治与法律环境分析 |
| 2.1.2 经济环境分析 |
| 2.1.3 技术环境分析 |
| 2.1.4 社会文化和人口环境 |
| 2.2 行业分析 |
| 2.2.1 半导体行业介绍 |
| 2.2.2 中国半导体行业现状 |
| 2.2.3 中国半导体行业发展特点和趋势 |
| 2.2.4 行业的波特五力模型分析 |
| 2.3 竞争分析 |
| 2.3.1 主要竞争对手分析 |
| 2.3.2 行业关键成功因素分析 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 内部环境分析 |
| 3.1 X集团和相关方介绍 |
| 3.2 E半导体公司的资源分析 |
| 3.2.1 E公司的人力资源 |
| 3.2.2 E公司的组织资源 |
| 3.2.3 E公司的品牌资源 |
| 3.2.4 E公司的关系资源 |
| 3.2.5 E公司的客户资源 |
| 3.3 E半导体公司的能力分析 |
| 3.3.1 E公司的生产运营能力分析 |
| 3.3.2 E公司的品质管控能力分析 |
| 3.3.3 E公司的研发能力分析 |
| 3.4 E公司的核心竞争力分析 |
| 3.4.1 拥有自主开发设备能力并提供整体制造解决方案的能力 |
| 3.4.2 具有强大的产品开发能力和对汽车标准质量的承诺 |
| 3.4.3 具备高效率的大规模生产能力 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 竞争战略的选择 |
| 4.1 X集团对E公司战略定位和要求 |
| 4.2 E公司的SWOT分析 |
| 4.2.1 优势分析 |
| 4.2.2 劣势分析 |
| 4.2.3 机会分析 |
| 4.2.4 威胁分析 |
| 4.3 竞争战略的选择 |
| 4.3.1 目标市场介绍 |
| 4.3.2 竞争战略选择 |
| 4.4 差异化竞争战略的制定 |
| 4.4.1 优化产品结构满足微型化低能耗的趋势 |
| 4.4.2 提升对本土客户服务和中国市场支持力度 |
| 4.4.3 技术创新和提供全面领先解决方案策略 |
| 4.4.4 维持和持续改善一贯的高产品质量 |
| 4.4.5 提升运营效率控制成本 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 竞争战略的实施和控制 |
| 5.1 竞争战略实施的原则 |
| 5.1.1 高层领导统筹指挥和负责的原则 |
| 5.1.2 灵活性和适度性原则 |
| 5.2 竞争战略实施的步骤和目标 |
| 5.2.1 重整基础阶段 |
| 5.2.2 提升飞跃阶段 |
| 5.3 优化组织结构设置 |
| 5.3.1 设立独立的销售公司 |
| 5.3.2 成立跨部门小组提供全面解决方案 |
| 5.4 提高人力资源管理水平 |
| 5.5 企业文化的调整 |
| 5.6 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 |
| 致谢 |
| 附件 |
四、电源管理半导体器件：销售额超过158亿美元（论文参考文献）
- [1]电子传输与注入的调控对有机半导体器件性能的影响[D]. 赵聃. 电子科技大学, 2021
- [2]M公司青岛分公司微控制器市场营销战略与策略研究[D]. 孙超. 山东大学, 2020(05)
- [3]高性能相变材料与新型阈值选通材料研究[D]. 王昊. 上海师范大学, 2020(07)
- [4]国内半导体产业的发展研究[D]. 赵东华. 北京工业大学, 2019(07)
- [5]聚焦产业关键技术,把握第三代半导体发展机遇——第三代半导体材料产业技术分析报告[J]. 赵婉雨. 高科技与产业化, 2019(05)
- [6]H公司品牌融合管理对运营效益的影响研究[D]. 徐长江. 北京交通大学, 2019(01)
- [7]产业视角下中美贸易失衡、结构性冲击与美国对华贸易政策[D]. 周金凯. 对外经济贸易大学, 2019(01)
- [8]基于“中兴事件”的集成电路专利技术演变路径研究[D]. 鲍业文. 华中科技大学, 2019(03)
- [9]信息技术发展趋势与半导体产业增长点[J]. 冯昭奎. 国际经济评论, 2018(04)
- [10]E半导体公司的竞争战略研究[D]. 陈源. 华南理工大学, 2017(05)